2nm 的轉折點《IEDM 2023 讀後感》

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《69th IEDM 2023 Short Course 1》

 

2023年初,OpenAI 帶來生成式 AI 的實際生活應用,讓 Nvidia GPU, AI server 及 Broadcom 網路交換器供不應求,為了打造既便利又有效率的生活,全球都在追逐這一場新的契機。但是,以目前的終端設備,不論是手機、NB/PC、電動車或是先進醫療,在與 Cloud 連接、運算與等待回覆的過程中,延遲性高,同時耗費過多的電力,因此,若是能在 Cloud 與終端設備之間,再加一道 Edge Computing Device (邊緣運算裝置),必定更即時接收到所需要訊息,此時,intel 發展 AI PC宣示〝AI Everywhere〞;AMD 提供完整 CPU 與 GPU 串聯;MTK 發表手機 AI 運算晶片,更新終端設備硬體規格,而這些晶片製作,都是交由 foundry (半導體代工廠) tsmc/SAMSUNG/intel 生產出來。


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為了訓練 AI 即時 (Real time) 回覆,如同人類思考與神經傳達速度,科技巨頭們定下每年目標:1. 效能 +30% 2. 電晶體數量成長 1.4x  3. 每單位能量耗損 -20%,因此,我們必須精進半導體製程,同時下更多的努力。


《BSPDN, Back Side Power Delivery Network》

 

目前,晶片運算的電晶體已經發展至 FINFET/GAA 製程,隨後,還需要透過 Cu process (銅製程) 拉出導線,才能讓晶片在通入電壓後順利運作。但是,我們思考一件事,當電器連接的延長線愈拉愈長,會有更多額外的電能消耗在電線上,造成電費增加;同樣的,在 7nm 之後,FINFET 愈做愈小,要拉出 Cu 導線的技術,會以指數倍增加設計難度,不僅愈疊愈多層,導線也會愈拉愈長,因此,Cu 導線所產生的 IR drop (壓降/能量耗損),就更無法忽略。


IC 設計在近 20年來,Cu process 的配置一直從前段製程之後,一路向上疊層與繞線,再到最後封裝,所以 7nm 以後的世代,後段 Cu 導線設計難度愈來愈高,線寬更小造成製程難度飆高,在 3nm之後,IR drop 已達臨界水位,不僅吃掉了能耗,產生過多的熱能,更降低晶片的表現。若是能夠降低 Cu 導線所產生的 IR drop,企圖達到每年每單位能耗 -20% 的目標,那麼,我們需要迎來近 20年來的轉折點,新穎的設計變更:BSPDN (Back Side Power Delivery Network)。如圖所示,將 Power 的 Cu 導線由晶面製程,轉移至晶背製程,保留 Signal 的 Cu 導線走在晶面,不僅放鬆晶面 Cu 導線的設計,降低 Cu 製程難度,也達到降低 IR Drop 的目的與緩和整體晶片的散熱效果,這也是目前三大玩家在 2nm 開發中的新技術。


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BSPDN 在綜合效應上,確實提供一項提升效能的解決方案,但是也為半導體製程帶來不少挑戰。首先,在 wafer bonding 上,面臨 TSV (矽穿孔技術) 讓兩片 wafer 貼合與串接的挑戰。其次,在做 BSPDN 之前,wafer thinning 的難度增加,同時也會提高後續黃光製程對準的難度。另外,在 wafer edge 的良率更會直接殺掉整體毛利。儘管挑戰重重,但是,這是一條必經之路。


《HI, Heterogeneous Integration》

為了讓效能提升,現階段電晶體製程已經從 FINFET 走向 GAA,但是我們需要更多的電晶體提高運算能力,就必須再增大晶片的面積。讓我們思考一件事,一顆晶片受到一顆 particle 汙染,若是無法使用,就必須報廢而損失一顆晶片。如下圖示,假設一片晶圓可生產大 IC 100顆,若是受到一顆 particle 汙染,那就只剩下 99顆 IC。假設一片晶圓可生產小 IC 1000顆,損失一顆小 IC,至少還有 999顆可以用,這也是為什麼走到 5nm 以下的設計,chiplet 開始盛行,將大 IC 拆分成不同工作的小 IC晶片,可使用的總晶片數量變多,再搭配 HI 技術(Heterogeneous Integration),將這些 chiplet 封裝整合,一樣可以達到生產單一顆大 IC 的目的 (即電晶體數量增加)。這種方式,除了可以增加製程良率與晶片效率,更直接影響毛利,這就是目前市場上主要玩家所追逐的延續摩爾定律的技術 (More than Moore)!

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《Opportunity》

 

根據 IDC 的預測資訊,全球會以每年 1.3x 的速度產生網路數據,至 2025年全球可達 >160ZB,market.us 推測邊緣運算的市場將以 CAGR 18% (2022 - 2032) 成長至 206B USD,其中又以硬體設備佔比最高 (45% @ 2022年)。2022年以來,不論是美國、中國、印度或是歐盟,都在擴大網路通訊基礎建設,都是在為未來的邊緣運算做準備。過去除了電競以外,我們總是認為硬體效能過剩,在 ChatGPT-4 出現之後,新的軟體應用反而推進硬體設備的追逐競賽,那麼在邊緣運算裝置上投資與開發,就是新的契機 。


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回顧近20年的科技演進:1998年 Microsoft/intel 將 PC 推上高峰,家家有電腦;2008年 Apple 開發 iPhone 3,改變了智慧型手機的走向,開啟人手一機的世代;2023年 OpenAI/Microsoft 將生成式 AI 帶入生活,AI/Auto/IoT 正在定義新的未來,這些都有一個共通點:晶片。根據 Garnert 推估,全球 foundry 的營收 CAGR 12.1% (121B, 2023 ~ 192B USD, 2027),其中 3nm 以下將會翻倍成長 (2.9B, 2023 ~ 61B USD, 2027),因此 BSPDN & HI 所帶來的產業效應將會放大,尤其是 BSPDN 面對 TSV 及 wafer thinning 的挑戰,會需要 foundry 與供應鏈的合作:ALD (Atomic Layer Deposition) 可以為 GAA & TSV 製程提供更優化的表現 (Key player: Applied Material, 天虹科技);而 wafer thinning 需要 Etch/Cleaning/CMP 的配套措施,讓製程更精進 (Key player: TEL, 3M, 中國砂輪)。

 

以此文紀念 Gordon Moore (1929 - 2023) & 施敏 (1936 - 2023)


《參考文獻》

 

[1]. SC1-1: Advanced Technology Requirement for Edge Computing, Jie Deng, Qualcomm

[2]. SC1-2: Process Technology Towards 1nm and Beyond, Tomonari Yamamoto, TEL

[3]. SC1-3: Empowering Platform Technology with Future Semiconductor Device Innovation, Jaehun Jeong, Samsung

[4]. SC1-4: Future Power Delivery Process Architectures and Their Capability and Impact on Interconnect Scaling, Kevin Fischer, Intel Corporation

[5]. SC1-5: DTCO/STCO in the Era of Vertical Integration, Y.K. Chong, ARM Ltd.

[6]. SC1-6: Low Power SOC Design Trends/3D Integration/Packaging for Mobile Applications, Milind Shah, Google

[7]. International Data Corporation, idc.com

[8]. The Rise of Real-Time Data: How Striim Helps You Prepare for Exponential Growth, Steve Wilkes, striim.com

[9]. Edge Computing Market to Reach US$ 206 Bn by 2032; North America dominates with 42% of the Market Share, Market.Us, globenewswire.com

[10]. gartner.com

[11]. intel innovation 2023, intel.com

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