元大發布記憶體產業報告，提到過往四次記憶體循環只是供給端 DRAM 換代與短期的補庫存需求，通常報價上升週期僅維持 2~3 季。而能延續 4~6 季報價上升之週期，則由強勁之需求所帶動，例如：1) 2012-14 年智慧型手機出貨量強勁年增(CAGR=35%)；2) 2016-18 年 DRAM 產品換代加上 CSP 加大投入伺服器之需求大支；3) 2021-22 年 WFH 帶動 NB 與 Server 拉貨潮。
元大預估 2026 年 DRAM/NAND 報價上升週期將延續至年底，主因1) AI 帶動資料中心對 Server 的拉貨需求強勁，但供給端因擴產引導有限，尤其 HBM 持續供不應求；2) HBM 持續供不應求，且位元產出耗用量大；3) 以 BOM Cost 與規格調整之彈性來看，對 AI Server 的影響相對輕微；4) 原廠 DRAM/NAND 月產能擴張有限，主要聚焦於製程升級以提升產出。
以 DDR4 產能規劃來看，原廠 DDR4 EOL 進度大致不變，不過長鑫（CXMT）EOL 進度較預期更快，其 2026 年底規劃之 DDR4 月產能將降至 10kwpm，相較原先預期的 20kwpm 減半，主因為加快 DDR5 產品之供給。展望 2026 年，元大預期 DDR4 之供需將維持緊俏，供需比落在 88–91% 之間，價格維持高檔之時間將延續至 2026 年底。
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