納微半導體為目前氮化鎵功率晶片的龍頭，雖然過去營收表現受到蘋果不再提供充電器、消費性電子產品及電動車市場景氣低迷的衝擊影響，但鑒於未來AI伺服器電源架構的潛在變更，相信公司能在這方面有更多發展空間，看完這篇文章，你將瞭解以下幾件事：
- 產業背景及趨勢
- 納微半導體 (NVTS)產品介紹
- 納微半導體 (NVTS)財務狀況
- 納微半導體 (NVTS)的估值
產業背景及趨勢
台灣的工業用電普遍為380V交流電，而在當前AI伺服器的設計中，為了將380V交流電轉換為晶片可承受的1 - 1.5V 直流電，必須經過多次AC/DC（交流轉直流）轉換過程，導致相當可觀的能量損耗。
根據Intel的《Data Center Energy Efficiency Research》報告（見圖一），從工業用交流電輸入至伺服器晶片所需電壓的過程中，必須歷經不斷的電力轉換，包括：UPS（不斷電系統）進行兩次AC/DC轉換、PDU（電源分配單元）中的降壓變壓器，以及伺服器本體的電源供應器（Power Supply Unit）再次進行AC/DC轉換，這些階段都會造成大量能耗。
圖一 、電力轉換過程示意圖
資料來源: Intel Data Center Energy Efficiency Research
此外，目前NVIDIA推出的GB200 NVL72整機機櫃總功率已達120kW，並預計於2027年推出更高規格的Rubin Ultra NVL576機櫃，總功率將達600kW。在如此高功率輸電環境下，傳統以大量銅線傳輸低壓電流的方式將面臨空間限制與效率瓶頸，加上多次電壓轉換所造成的能源損耗，傳統資料中心的電力架構已經漸漸變得不可行，因此NVIDIA於官網公告，將自2027年起全面導入800V高壓直流電（HVDC）設計。
HVDC的架構可將380V交流電直接轉換為800V高壓直流電，並於機櫃內部局部降壓至48V或12V供晶片運作，藉此大幅減少電壓轉換次數與傳輸過程中的能量損失，提升整體系統能源效率。
寬能隙半導體 - 氮化鎵(GaN) 及 碳化矽 (SiC) 的機會
圖二、NVTS 產品解決方案
資料來源: NVTS - 以 GaN 與 SiC 技術重構下一代 800 VDC 數據中心電力基礎架構白皮書
而在資料中心電力架構革命，它的可行性很大程度歸功於下寬能隙半導體，包含氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）。傳統的矽功率元件在 800V 甚至更高的電壓下，其導通電阻和開關損耗會顯著上升，難以在保持高效率的同時縮小體積。相較於傳統矽材料，這兩種材料因其晶體結構特性，更能承受高電壓與高頻率的操作環境，因而將氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）應用於 AC - DC 與 DC - DC 轉換過程中 (見圖二)。然而，GaN與SiC之間仍存在物理性質上的差異（見圖三及圖四），進而導致兩者在終端應用上的不同。
圖三、材料特性
資料來源: Researchgate
碳化矽（SiC）：因為它具備極高的崩潰電壓（耐高電壓）和耐熱性，因此適合處理大功率轉換，使其成為處理高電壓、大功率轉換的首選。它主要應用於最前端的 AC/DC 轉換及高壓直流傳輸環節（如固態變壓器 SST），負責將電網能量穩定地引入機櫃。
氮化鎵（GaN）：他除了具備高切換頻率外，氮化鎵比碳化矽更適合應用於 DC - DC 轉換是因為它具備高電子遷移率；在高電子遷移率的情況下，氮化鎵電子可以跑得更快，導通電阻可以做得更低，因此能夠大幅縮小變壓器、電感、電容的體積，使得電源模組可以直接整合進 GPU 載板上面，縮短了電流路徑，降低能源傳輸耗損。
在AI伺服器領域，隨著運算需求提升與整機功率快速攀升，能源轉換效率成為資料中心的核心挑戰。碳化矽憑藉著耐高電壓和耐熱性，以及電動車發展中所累積的經驗，能夠協助大功率轉換；而氮化鎵憑藉其高速切換特性，能有效縮減電路中的儲能元件體積與重量，降低損耗與熱生成，進而提升整體功率轉換效率。這些優勢不僅能為伺服器提供更多可用功率，同時減輕散熱系統負擔，有助於資料中心實現更高的能源使用效率。
納微半導體 (NVTS)產品介紹
納微半導體 (NVTS)為全球第一大氮化鎵(GaN)功率IC設計大廠，並透過併購GeneSiC Semiconductor來佈局碳化矽(SiC)相關產品布局，使公司在第三類半導體相關產品更完整，也積極布局 800VDC 全方位產品及解決方案。
圖四、NVTS 產品解決方案
資料來源: NVTS - 以 GaN 與 SiC 技術重構下一代 800 VDC 數據中心電力基礎架構白皮書
公司主要產品為:
(1) 氮化鎵功率晶片(GaNFast系列):
此款功率晶片將 GaN 功率開關 + 驅動器 + 控制 + 保護電路 整合在單一晶片中（IC），能夠有效縮小充電器體積，同時讓功率密度提升
主要終端應用: 手機快充、各類消費型電子之電源供應器及低功率伺服器電源。
(2) 氮化鎵功率晶片(GaNSafe™系列)
AI 數據中心對可靠性的要求遠高於消費電子。伺服器必須 24/7 不間斷運行，任何停機都意味著巨大的算力損失。為此，Navitas 推出了 GaNSafe™ 系列。
此款功率晶片擁有良好散熱效率，並且可承受高達 650V 電壓，支援高頻率、大電流操作，同時透過 Navitas IntelliWeave™ 控制技術，提升效率與整體系統穩定性。
主要終端應用: AI 資料中心電源模組、電動車車載充電器、快速 DC 充電樁
(3) 碳化矽金屬氧半場效電晶體（GeneSiC™ SiC MOSFETs）
為1200V ~ 6500V SiC MOSFET 晶片，能夠支援超高電壓、極高溫與嚴苛環境運作（如 -55°C 至 +175°C），且具備良好的散熱與耐久性。
GeneSiC™獨特之處為其設計採用溝槽輔助平面（Trench-Assisted Planar）（圖五），相較於傳統平面式或溝槽式，其中一個優勢是GeneSiC™ 導通電阻較低，在高溫運行下，導通電阻僅增加 50% （競品增加 100%），且運行溫度低，因此工程師可以縮小散熱零件的體積，進而降低系統成本；另一個優勢是較高的雪崩耐受性（Avalanche Ruggedness），因為其設計結構，讓大電流流過時產生的熱量可以均勻地分佈在 SiC 晶體中，防止了局部的過熱或燒毀，因此擁有較高可靠性及耐用度。
圖五、SiC MOSFETs 設計
資料來源: Navitas 官網
公司營收來源目前仍以消費性電子為主，考量消費性電子市場逐漸成為紅海市場，公司 2025Q4 將開始主動大幅降低消費性電子之訂單，並專注於四大高功率、高成長市場：
- AI 資料中心
- 高效能運算
- 能源及電網基礎設施
- 工業電氣化
納微半導體 (NVTS)財務狀況
公司 2025Q3 營收為美金 10.2 百萬元，毛利率為 37%，公司近一年營收逐季下降，主要受到營運策略及產品結構的改變，逐漸削減手機業務，預期 2025Q4 將為營收底部，手機業務佔整體營收將會低於 50%。展望 FY26，營收成長動能將來自於高階筆電、傳統資料中心電源及工業/電網基礎設施，毛利率也將朝著長期目標 50% 邁進；而在力積電法說會上透露明年將擴充氮化鎵業務產能 3 - 4 倍，也間接呼應目前 NVTS 於法說會上給予的明年銷售展望。
圖六、公司營收及毛利率
近三年來，公司的銷售及管理費用（SG&A）無論在絕對金額或營收佔比上，皆呈現逐季下降趨勢，有效優化獲利結構；與此同時，研發費用則維持在一定水準，顯示公司策略是以削減非核心支出，來支撐關鍵技術研發，維持長線競爭力。
圖七、營業費用結構
公司目前帳上並無任何計息負債，其現金水位達美金 151 百萬元，自由現金流連續三年為正，FY25Q3 之自由現金流為美金 29.1 百萬元；管理階層預期未來每季營業費用相關支出約為美金 10 百萬元，因此帳上現金仍足以支應公司未來轉型及營運。
圖八、自由現金流 及 現金水位
納微半導體 (NVTS)的估值
雖然納微半導體過去幾年持續處於虧損狀態，但其營運表現正逐步改善，虧損幅度亦呈現收斂趨勢。然而，基於目前尚未轉盈，因此不適用P/E（本益比）作為每股價格的評價指標，因此將採用P/S（股價營收比）作為主要評價基準，並輔以P/B（股價淨值比）來衡量股價的相對合理性。
圖九、P/NTM sales revenue 及 P/B
截至目前，公司交易在未來 12 個月股價營收比（Forward P/S） 55.86 倍，股價淨值比（P/B） 11.97 倍的水位。回顧 2022 年，受益於市場對氮化鎵（GaN）前景的高度樂觀，Forward P/S 曾一度達到 70 倍的高點；隨後受消費性電子市場疲軟拖累，估值經歷了劇烈的修正。
近期隨著氮化鎵與碳化矽在 AI 資料中心的應用潛力浮現，市場情緒轉趨樂觀，帶動估值回升。然而，市場能否持續支撐如此高倍數的評價，將高度取決於公司未來 1-2 年的策略轉型是否如期推進，以及 HVDC 架構能否真正轉化為營運成長的實質動能。筆者認為NVTS 正處於策略轉型與產業趨勢交會的關鍵時間點。儘管當前估值偏高，且短期內因市場情緒波動而經歷股價震盪及估值回調，但隨著資料中心架構轉型的必然趨勢逐步實現，一旦公司營收開始加速成長，市場極有可能對 NVTS 進行新一輪的估值重估，持續推升其交易倍數，反映其作為 GaN 領域領先者的地位。
投資警語｜Disclaimer
本部落格內容僅為本人之投資紀錄與心得分享，非任何形式之投資建議。所有文章所提及之個股、產業、資產配置等，均為本人基於自身研究與風險承擔能力所做之操作，僅供參考。 投資市場變化快速，請務必在做出任何投資決策前，審慎評估自身風險承受度，並獨立判斷。
本報告內容為作者根據公開資訊、公司公告及產業研究自行撰寫，僅供參考用途，未經書面授權，不得以任何形式進行轉載、引用、節錄或重製。
