納微半導體為目前氮化鎵功率晶片的龍頭，雖然過去營收表現受到蘋果不再提供充電器、消費性電子產品及電動車市場景氣低迷的衝擊影響，但鑒於未來AI伺服器電源架構的潛在變更，相信公司能在這方面有更多發展空間，看完這篇文章，你將瞭解以下幾件事：
- 產業背景及趨勢
- 納微半導體 (NVTS)產品介紹及基礎財務資訊
- 納微半導體 (NVTS)展望及機會
- 納微半導體 (NVTS)的估值
產業背景及趨勢
台灣的工業用電普遍為380V交流電，而在當前AI伺服器的設計中，為了將380V交流電轉換為晶片可承受的12V直流電，必須經過多次AC/DC（交流轉直流）轉換過程，導致相當可觀的能量損耗。
根據Intel的《Data Center Energy Efficiency Research》報告（見圖一），從工業用交流電輸入至伺服器晶片所需電壓的過程中，必須歷經不斷的電力轉換，包括：UPS（不斷電系統）進行兩次AC/DC轉換、PDU（電源分配單元）中的降壓變壓器，以及伺服器本體的電源供應器（Power Supply Unit）再次進行AC/DC轉換，這些階段都會造成大量能耗。
圖一
(資料來源: Intel Data Center Energy Efficiency Research)
此外，目前NVIDIA推出的GB200 NVL72整機機櫃總功率已達120kW，並預計於2027年推出更高規格的Rubin Ultra NVL576機櫃，總功率將達600kW。在如此高功率輸電環境下，傳統以大量銅線傳輸低壓電流的方式將面臨空間限制與效率瓶頸，加上多次電壓轉換所造成的能源損耗，NVIDIA已於官網公告，將自2027年起全面導入800V高壓直流電（HVDC）設計。
HVDC的架構可將380V交流電直接轉換為800V高壓直流電，並於機櫃內部局部降壓至54V或12V供晶片運作，藉此大幅減少電壓轉換次數與傳輸過程中的能量損失，提升整體系統能源效率。
第三類半導體 - 氮化鎵(GaN)的機會
第三類半導體主要包含氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）。相較於傳統矽材料，這兩種材料因其晶體結構特性，更能承受高電壓與高頻率的操作環境。然而，GaN與SiC之間仍存在物理性質上的差異（見圖二），進而導致兩者在終端應用上的分野。
圖二
(資料來源: Researchgate)
氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)其中一項差異在於電子遷移率，即電子在半導體材料中移動的速度。氮化鎵的電子遷移率明顯高於碳化矽，使其在高頻操作環境中更具優勢。而碳化矽則具備更高的熱導率與適合低頻、大電壓操作的特性，因此應用範疇明確分工。
碳化矽(SiC)因其優異的散熱能力與高電壓耐受特性，特別適合於高功率、高電壓的應用場景，如電動車、太陽能逆變器、風力發電機、電網配電與各類工業級設備。這些應用多需在嚴苛電力環境下穩定運作，但通常對開關頻率的要求相對較低。
氮化鎵(GaN)則因其極高的電子遷移率與低閘極面積優勢，在高頻、高效率的應用中表現出色。GaN元件能在極低電容下實現極高切換頻率，顯著提升能量轉換效率。因此，目前市面上多數快充設備採用GaN技術，以實現電力快速傳輸與電池高效充電。
在AI伺服器領域，隨著運算需求提升與整機功率快速攀升，能源轉換效率成為資料中心的核心挑戰。氮化鎵憑藉其高速切換特性，能有效縮減電路中的儲能元件體積與重量，降低損耗與熱生成，進而提升整體功率轉換效率。這項優勢不僅能為伺服器提供更多可用功率，同時減輕散熱系統負擔，有助於資料中心實現更高的能源使用效率與綠色運營目標。
納微半導體 (NVTS)產品介紹及基礎財務資訊
納微半導體 (NVTS)為全球第一大氮化鎵(GaN)功率IC設計大廠，並透過併購GeneSiC Semiconductor來佈局碳化矽(SiC)相關產品布局，使公司在第三類半導體相關產品更完整。
公司主要產品為:
(1) 氮化鎵功率晶片(GaNFast系列):
此款功率晶片將 GaN 功率開關 + 驅動器 + 控制 + 保護電路 整合在單一晶片中（IC），能夠有效縮小充電器體積，同時讓功率密度提升
主要終端應用: 手機快充及各類消費型電子之電源供應器。
(2) 氮化鎵功率晶片(GaNSafe™系列)
此款功率晶片擁有良好散熱效率，並且可承受高達 650V 電壓，支援高頻率、大電流操作，同時透過 Navitas IntelliWeave™ 控制技術，提升效率與整體系統穩定性。
主要終端應用: AI 資料中心電源模組、電動車車載充電器、快速 DC 充電樁
(3) 碳化矽金屬氧半場效電晶體（GeneSiC™ SiC MOSFETs）
為1200V ~ 6500V SiC MOSFET 晶片，能夠支援超高電壓、極高溫與嚴苛環境運作（如 -55°C 至 +175°C），且具備良好的散熱與耐久性。
主要終端應用: 直流快速充電樁（DCFC）、儲能電池 / 光儲逆變器（ESS+Solar）、軍用、航空航太電源控制模組
公司最近一期(2025Q1)財務數據:
- 營收：$14.02M
- 毛利率：38.1%
- 營業虧損：$11.8M
- 現金與約當現金：$75M
- 計息負債 : 無
營收來源目前仍以消費性電子為主；EV車用電源則受到終端客戶去化庫存影響，導致本季相關銷售下滑。值得注意的是，AI伺服器領域的GaN與SiC整合設計已開始出貨，儘管目前出貨金額尚小，但未來潛力值得期待。
資料中心設計案已由上一季的40件成長至本季的75件；電動車相關設計案則維持在40件，累積Design-win專案總額已達4.5億美元，公司預估將於2025年第四季開始陸續認列，並於2026財年大幅貢獻營收。
目前公司仍處於虧損階段，但根據管理層說明，若每季營收可提升至3,500萬至4,000萬美元區間，並將營業費用控制於1,500萬美元以下，則有望實現EBITDA損益兩平。在已取得的4.5億美元設計案基礎下，公司預期可於2026年達成損益平衡目標。此外，Navitas在過去四年持續維持正的levered free cash flow，2024年LTM自由現金流為2,940萬美元，顯示其資本效率與營運韌性。現有現金水位可支應公司至少七季的營運需求。
納微半導體 (NVTS)展望及機會
在AI伺服器產業快速演進的趨勢下，納微半導體正處於極具優勢的競爭位置。隨著AI模型的複雜度持續提升，尤其如NVIDIA即將推出的Blackwell與Rubin平台，資料中心對電源模組的功率密度與能源效率提出更嚴苛的要求。傳統3–5kW等級的電源模組已難以滿足未來單櫃高達600kW的電力需求，需透過大量模組併聯實現，然而此種架構在散熱、功率整合與空間配置方面將面臨明顯瓶頸。因此，資料中心電源架構正加速向8.5kW甚至12kW等高密度模組演進。
根據公司於2025年第一季法說會（Earnings Call）中的說明，目前其GaN功率晶片已導入部分NVIDIA Blackwell伺服器平台中的4.5kW系統設計，儘管市場上仍有部分客戶持續採用傳統矽基解決方案，但公司已觀察到高功率模組設計的需求加速提升，尤其在8.5kW與12kW級距。
其中，8.5kW電源模組預計將成為氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）組合應用的重要轉折點，逐步取代過往以單一技術為主的架構。而當電源模組規格進一步升級至12kW時，唯有同時具備GaN與SiC整合設計能力的廠商方能實現技術突破。納微半導體目前為市場上唯一具備此雙技術結合能力的公司。
納微半導體 (NVTS)的估值
雖然納微半導體過去幾年持續處於虧損狀態，但其營運表現正逐步改善，虧損幅度亦呈現收斂趨勢。然而，基於目前尚未轉盈，因此不適用P/E（本益比）作為每股價格的評價指標。針對本次建倉價格的判斷，採用P/S（股價營收比）作為主要評價基準，並輔以P/B（股價淨值比）來衡量股價的相對合理性。
截至目前，納微半導體的P/S倍數為15.00倍，若以預估2026財年營收計算，P/FY26 Sales為11.63倍，兩者雖略高於過去三年平均值（歷史三年平均分別為14.14倍與8.56倍），但仍低於歷史高點水準，評價未過度偏高。進一步觀察P/B評價，目前納微的P/B倍數為3.45倍，相較同業如英飛凌（Infineon）目前2.92倍的水準略高，但考量納微半導體具備先進的氮化鎵與碳化矽整合能力，以及高成長性專案即將進入出貨期，仍屬可接受區間。
P/S ratio (7/7收盤價 : 6.15) : 15.00x
過去3年平均: 14.14x
過去3年歷史低點: 2.65x
過去3年歷史最高點: 39.80x
P/NTM sales (7/7收盤價 : 6.15) : 16.23
P/FY26 sales (7/7收盤價 : 6.15) : 11.63
過去3年平均: 8.56x
過去3年歷史低點: 3.02x
過去3年歷史最高點: 21.66x
P/B (7/7收盤價 : 6.15) : 3.45x
過去3年平均: 2.39x
過去3年歷史低點: 0.87x
過去3年歷史最高點: 5.06x
可比較同業 - P/B (Infeneon(XTRA:IFX)) : 2.92x
自己的操作邏輯紀錄
雖然公司目前已累積設計案金額達4.5億美元，且已確認與NVIDIA共同合作開發800V HVDC高壓直流電架構，具備長期成長潛力與產業話語權，惟在投資策略上仍須審慎控管倉位風險。考量其流通在外股數僅為1.91億股，整體市值約11.8億美元，屬於中小型成長股，且公司目前仍處於虧損階段、尚未達成獲利平衡，評估其股價波動風險相對較高。
因此，本次投資建倉現股部位將不超過整體Cash Pool的2%；另行配置選擇權部位（Call Options），其曝險部位將控制在Cash Pool的0.5%以內。
投資警語｜Disclaimer
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本報告內容為作者根據公開資訊、公司公告及產業研究自行撰寫，僅供參考用途，未經書面授權，不得以任何形式進行轉載、引用、節錄或重製。
