過去一年全球碳化矽（SiC）產業的重要新聞整理：
1. Wolfspeed 申請破產重組、償還債務
- 美國 SiC 領導廠商 Wolfspeed 已於 2025 年 6 月簽署重組協議，申請預打包第 11 章破產保護，擬削減約 46 億美元債務。重組計畫預計在第三季前完成，現有股東將保留約 3–5% 股權。
- 其破產舉動已對全球供應鏈造成衝擊，例如：印度 CG Power 正在興建的 OSAT（封測）廠可能因供應不穩而受到影響。
2. NVIDIA 傳將採用 SiC 於下一代 GPU 封裝中介層
- 市場傳聞 NVIDIA 正考慮將 GPU 的封裝中介層材料從矽轉為 SiC，以提升散熱與電流傳輸效能。。
- 同時 漢磊（3707-TW） 宣布推出第 4 代平面型 G4 SiC 平台，並已通過客戶可靠性測試。
3. 台灣業者迎轉單、供應鏈機會浮現
- 隨著 Wolfspeed 及日商瑞薩（Renesas）相繼退出 SiC 市場，環球晶、漢磊、嘉晶等台廠受到新機會關注，可望承接其部分訂單。
- 國際業界亦傳出某歐系頂級 Tier 1 廠有意出售其 6 吋 SiC 晶圓廠，開放對外委託生產，這對具備產能與技術的台灣廠商是一大契機。
4. 中國市場動態：產能過剩與價格崩跌
- 自 2024 年下半年起，中國 SiC 6 吋基板產能快速爆發，導致嚴重供過於求，價格一路季季跳水，業者大陷虧損。
- 數據顯示中國 SiC 基板價格戰持續，但台灣 環球晶 成為中國＋1 策略下備受青睞的第三方供應商。
5. 技術與投資方向：趨勢仍持續看好
- Yole Group 預估，全球電力 SiC 市場規模將自 2025 約 60 億美元增至 2029 年 100 億美元，CAGR 約 36.7%；另有報告則預測中期有望再成長至破 100 億美元。
- 在技術層面，Toshiba 推出新型 SiC MOSFET 與 Schottky 二極體設計，提升高溫功率轉換效率；Infineon 與 NVIDIA 合作研發針對 AI 資料中心的 800 V 電力架構。
- 此外，密西根大學獲准獲得高達 750 萬美元的研究經費，用於推動耐高溫、耐輻射的 SiC 半導體技術，拓展應用至航太、國防等領域。
https://eepower.com/news/infineon-nvidia-team-up-for-800-v-power-in-ai-data-centers/
英飛凌與 Nvidia 聯手為 AI 資料中心提供 800 V 電源
AI資料中心助攻碳化矽（SiC）產業：
◦ 碳化矽特性：
▪ 生產難度高： 相較於矽晶圓，碳化矽晶圓生長速度極慢，三天僅能生長1.5公分，是矽晶圓的100倍以上。
▪ 成本高昂： 一片6吋碳化矽晶圓的價格約為800至1200美元，遠高於6吋矽晶圓的20至40美元，價差高達40倍。8吋碳化矽晶圓價格更高達2000至3000美元，是8吋矽晶圓的50倍。
▪ 優異性能： 耐電流強度是傳統矽晶圓的10倍，耐高溫、耐高壓能力是傳統矽晶圓的3倍。
◦ 應用轉變與商機：
▪ 過去碳化矽主要應用於電動車和太陽能，但這些市場過去表現較弱。
▪ 未來，AI資料中心將導入800伏特的高壓直流供電，這將促使對碳化矽的需求大幅增加。碳化矽的高壓高溫特性以及更好的散熱能力，非常符合AI資料中心的應用需求。
▪ NVIDIA已宣布2027年AI資料中心將導入800伏特高壓直流供電，預計將帶動碳化矽市場爆發。
◦ 市場規模： 研調機構預估，從今年到2030年，全球碳化矽晶圓、碳化矽累晶和碳化矽功率半導體等領域的年複合成長率都將超過20%。
◦ 台灣相關廠商： 漢磊、環球晶（碳化矽晶圓製造），嘉晶（碳化矽累晶代工），昇陽半導體（碳化矽晶圓薄化）。
