產能排擠引發的結構性稀缺
2025年至2026年的記憶體市場正經歷一場由供給端主導的結構性變革。不同於過往由消費需求驅動的週期，本波漲勢的核心在於「產能排擠效應」（Capacity Crowd-out）。人工智慧（AI）基礎設施對高頻寬記憶體（HBM）與高容量伺服器DRAM（DDR5 RDIMM）的剛性需求，迫使原廠將產能永久性轉移，導致標準型記憶體供給斷層。
數據顯示，2025年第三季DRAM合約價格年增幅達171.8% 。AI應用預計在2026年將消耗全球約20%的DRAM晶圓產能。此趨勢將台灣供應鏈的角色從單純的代工與銷售，推向了關鍵材料供應與利基型技術整合的核心位置。
記憶體主要種類概述
- DRAM（動態隨機存取記憶體）： 負責處理 CPU/GPU 運算時的暫存數據，速度極快但斷電後資料消失。
- 標準型/伺服器 DRAM： 如主流的 DDR4 與正快速普及的 DDR5。
- 高頻寬記憶體（HBM）： 透過 3D 堆疊技術將 DRAM 晶片垂直整合，專為 AI 加速器（如 NVIDIA H100/B200）設計，是目前最供不應求的產品。
- 行動式與繪圖記憶體： 如用於手機的 LPDDR5 或顯卡的 GDDR6/7。
- 主要生產商： 三大原廠包含三星 (Samsung)、SK 海力士 (SK Hynix) 與美光 (Micron)。華邦電與南亞科則專注於利基型/行動式記憶體。特別是華邦電，是台灣唯一具備 DRAM 與 Flash 自主開發能力的公司，其 16nm 製程已逐步切入邊緣 AI 供應鏈。
- NAND Flash（快閃記憶體）： 斷電後資料仍可保存，主要用於長期儲存。
- 常見於消費級 SSD、手機儲存空間，以及本波 AI 浪潮中需求大增的企業級 SSD (eSSD)。
- 主要生產商： 三巨頭（三星、SK 海力士、美光）以及 鎧俠 (Kioxia)、威騰電子 (Western Digital)。
- NOR Flash： 雖然容量較小，但讀取速度快且穩定，主要用於存放開機程式碼（BIOS）或物聯網設備。
- 主要生產商： 台灣廠商 華邦電、旺宏 為全球領導者。
價格傳導與結構性改變：從物理限制到市場恐慌
HBM 對產能的吞噬HBM 與一般 DRAM（如 DDR4/DDR5）在晶圓製造的前段製程（Frontend）是高度相關且共用產線的。它們都屬於 DRAM 技術，使用類似的設備生產。然而，生產 HBM 存在「晶圓懲罰」（Wafer Penalty）：
- 晶圓消耗倍增： 生產1GB HBM所需的晶圓產能，約為生產同容量標準型DRAM的4倍；GDDR7則為1.7倍。
- 晶粒尺寸（Die Size）懲罰： HBM3E晶片尺寸約為同容量DDR5的兩倍，且需預留更多測試結構區域，大幅降低了每片晶圓的有效產出。
這意味著，即便總投片量不變，位元產出成長率（Bit Growth supply）仍將顯著放緩。根據 TrendForce 與業界估算，生產 1 bit 的 HBM 產能，約會消耗掉 3 bit 的標準 DRAM 產能。當三大原廠將大量機台轉去生產 HBM 時，標準型 DRAM（DDR4/DDR5）的供給量便會因設備被佔用而大幅減少，進而推升其價格。Samsung與SK Hynix等大廠已將先進製程優先分配給高毛利的HBM，導致DDR4與DDR5的供給缺口擴大 。
HBM 的熱潮直接排擠的是 DRAM 產能，對 NAND 的影響主要來自於原廠將資本支出（CapEx）移往 HBM，導致 NAND 新增產能投資受限的間接效應。雖然NAND手機和電腦的需求沒有大爆發，但 AI 伺服器對 NAND 的需求正在大幅增加，這主要體現在企業級 SSD (eSSD) 上。
價格傳導機制：倒掛與修復
2025年下半年的市場出現了罕見的價格倒掛現象。
- 現貨與合約脫鉤： 由於通路端恐慌性備貨，DDR5模組現貨價在三個月內上漲近300% 。原廠策略性地停止對現貨市場報價，改採「每日動態定價」，導致現貨價格領先並拉動合約價 。
- 傳導斷層： 傳統上，合約價反應滯後現貨價3-6個月。但此次因原廠庫存水位在2025年Q3降至3.3週的歷史低點（與2018年超級週期相當），價格傳導速度縮短至數週 。
週期預測：持續至2027年
市場共識指出，供應短缺將延續至2026年底。SanDisk預測NAND Flash的短缺可能持續至2027年，屆時資料中心將首度超越手機成為最大的NAND應用市場 。由於新建晶圓廠需3-5年才能滿載，短期的資本支出（Capex）增加無法立即緩解供應壓力。
全球IDM原廠：三巨頭的技術與產能賽局
全球DRAM與NAND市場由三大IDM（整合元件製造）廠寡占，其策略直接決定市場供給總量。
SK Hynix (000660.KS)：AI 記憶體技術領導者
- 市場地位： HBM市場市佔率達46-49%，是NVIDIA供應鏈的核心 。
- 技術護城河： 獨家MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）封裝技術解決了堆疊散熱問題，良率優於競爭對手。
- 策略： 計畫在2026年投入30%營收於資本支出，全力轉進1c奈米製程與HBM4，但仍預期無法完全解決短缺 。
Samsung Electronics (005930.KS)：產能規模與復甦
- 市場地位： 2025年Q3奪回DRAM營收龍頭，市佔率34.8% 。
- 策略： 採取利潤優先策略。面對HBM3E驗證進度落後，Samsung將部分HBM產能轉回通用型DRAM（DDR5），試圖在標準品價格上漲中獲利。其龐大的舊製程產能使其成為DDR4/DDR5市場的主要供給調節者。
Micron Technology (MU)：去商品化與車用霸主
- 市場地位： 全球第三大DRAM廠，車用記憶體市佔率第一（15.5%） 。
- 策略轉型： 激進執行「去商品化」。已經停止消費級品牌Crucial業務，將資源集中於資料中心與車用市場 。此舉將釋放出巨大的消費級模組市佔空間給台灣模組廠。
- 技術： 1-beta奈米製程在成本與效能上具競爭力，HBM3E市佔率目標為20% 。
台灣供應鏈深層解析：上游（材料與晶圓）
台灣在上游材料領域擁有數家「隱形冠軍」，掌握關鍵生產要素，受惠於IDM廠的產能擴充與先進封裝需求。
矽晶圓製造
環球晶圓 (6488.TW)：
- 地位： 全球第三大矽晶圓廠，市佔率約17%。
- 優勢： 擁有超過50%的長約（LTA）覆蓋率，且在美、歐、亞皆有產能，能規避地緣政治風險。受惠於AI對高階晶圓（12吋）的需求，正與客戶協商調漲2026年價格 。
合晶科技 (6182.TW)：
- 地位/動態： 專注於重摻矽晶圓（Heavy doped wafer），並積極擴充12吋產能。其彰化二林新廠專攻12吋晶圓，月產能達20萬片，亦涉足GaN等化合物半導體。
- 護城河： 在車用與功率元件所需的重摻晶圓領域具技術優勢。
關鍵化學品與代理
華立企業 (3010.TW)：
- 地位： 台灣最大半導體材料通路商，JSR光阻液主要代理。
- 動能： CoWoS先進封裝產能擴充帶動高階材料（如光阻、研磨液）需求，2025年Q3半導體部門營收年增14.57% 。
崇越科技 (5434.TW)：
- 地位： 信越化學（Shin-Etsu）台灣主要代理商。
- 優勢： 掌握EUV光阻液與高階矽晶圓通路，隨台積電與晶圓代工廠擴產，其在美國與日本的佈局逐步發酵 。
台灣供應鏈深層解析：中游（製造與設計）
此區塊包含利基型記憶體製造與控制IC設計，是台灣技術含金量最高的環節。
利基型記憶體製造 (Niche Memory Fabrication)
華邦電 (2344.TW)：
- 排名： 全球第一大NOR Flash供應商。
- 護城河： 雖然容量不及NAND，但NOR Flash在AI伺服器（如NVIDIA GB200）中作為開機引導晶片不可或缺。隨著AI伺服器設計複雜化，單機NOR Flash搭載價值量將從600美元提升至900美元 。
旺宏電子 (2337.TW)：
- 排名： 車用NOR Flash全球市佔率第二。
- 優勢： 深耕車用與工控市場，擁有高品質與長壽命產品認證（ISO 26262），在車用電子化趨勢下受惠。
記憶體控制 IC 與 IP
群聯電子 (8299.TW)：
- 地位： 獨立NAND控制晶片龍頭，PCIe Gen5 SSD技術領先。
- 轉型： 推出aiDAPTIV+架構，讓中小企業能用SSD取代昂貴的HBM進行AI微調運算。因應NAND原廠減產，群聯策略性轉向企業級SSD（eSSD），該領域營收佔比持續提升 。
愛普 (6531.TW)：
- 技術： 專攻3D堆疊記憶體（VHM）與IoT RAM。其WoW（Wafer-on-Wafer）技術能大幅提升頻寬並降低功耗，適用於邊緣AI運算 。
力旺電子 (3529.TW)：
- 領域： 邏輯非揮發性記憶體（Logic NVM）矽智財（IP）。
- 護城河： 其NeoBit/NeoFuse技術廣泛應用於晶圓代工廠的成熟與先進製程，隨著資安需求提升，PUF（物理不可複製功能）技術成為新成長點。
台灣供應鏈深層解析：下游（封測與模組）
記憶體封測 (OSAT)
力成科技 (6239.TW)：
- 排名： 全球前五大OSAT，記憶體封測領域龍頭。
- 策略： 積極降低對標準型記憶體的依賴，投資面板級扇出型封裝（FOPLP）與CoWoS相關技術，目標是成為邏輯與記憶體異質整合的領導者 。
華東科技 (8110.TW)：
- 地位： 全球前三大記憶體後段服務商，華新麗華集團成員 。
- 優勢： 與美光、華邦電關係緊密，產能利用率隨記憶體復甦而提升。
南茂 (8150.TW) / 京元電 (2449.TW)：
- 動態： 南茂受惠記憶體回溫轉虧為盈；京元電雖主攻邏輯測試，但在AI相關的測試介面亦有佈局。
福懋科 (8131.TW)：
- 擴產： 投資7.02億台幣興建新廠，專攻AI伺服器所需的先進封裝，預計2026年下半年量產 。
記憶體模組與通路
當原廠（如Micron）退出消費品牌市場時，模組廠將接收釋出的市佔。
威剛 (3260.TW) / 十銓 (4967.TW)：
- 機會： 擁有龐大的低價庫存。在價格上漲週期中，這些低價庫存轉化為高額利潤。十銓近年積極切入電競與DDR5高階模組，營收爆發力強 。
創見 (2451.TW) / 宜鼎 (5289.TW) / 宇瞻 (8271.TW)：
- 護城河： 專注於工控（Industrial）與嵌入式市場，而非消費市場。工控產品認證期長、毛利穩定，不易受消費景氣波動影響。宜鼎更進一步發展AIoT邊緣運算解決方案。
測試介面
旺矽 (6223.TW)：
- 地位： 全球探針卡（Probe Card）前五大，VPC（垂直式探針卡）在AI與HPC測試市佔率高 。
- 動能： HBM堆疊層數增加導致測試複雜度幾何級數上升，帶動高階探針卡需求。
結論與展望
產業雙軌化與投資邏輯
記憶體產業已分裂為兩條平行軌道：
- AI稀缺軌道： 以HBM、高階DDR5 RDIMM、企業級SSD為主。此領域由SK Hynix、群聯（eSSD）、力成（先進封裝）、旺矽（測試）主導，特徵是「供不應求、技術壁壘高」。
- 消費循環軌道： 以標準型DRAM、NAND為主。此領域雖因產能排擠而漲價，但需警惕終端需求（手機、PC）復甦不如預期。模組廠（威剛、十銓）的獲利將來自庫存價差與市佔擴大。
風險
儘管超級週期確立，仍需關注以下風險：
- 需求反噬： 若記憶體價格過高，可能抑制搭載量成長。例如筆電品牌可能因成本壓力而減少DRAM規格 。
- 2027年供給釋放： 原廠資本支出若在2025-2026年過度激進，新產能將於2027年後集中釋放，屆時可能面臨週期反轉。
綜上所述，台灣供應鏈雖無HBM主導權，但在上游矽晶圓、關鍵材料代理、利基型記憶體製造（NOR Flash）、控制IC以及先進封裝測試環節，已構築出不可替代的價值網，將是此波AI記憶體通膨的主要受益者。
