面對台積電在 3nm 製程上的領先優勢，Intel 不再單純以製程節點競爭，而是積極將自身長年累積的封裝技術商品化，其中最具代表性的正是 EMIB（Embedded Multi-Die Interconnect Bridge），以及與之搭配的 3D 封裝技術 Foveros。
當 EMIB 是晶粒間的橋，Foveros 是上下連接的樓層，玻璃基板則是撐起整座建築的地基。
EMIB 是什麼？
EMIB 技術透過嵌入封裝基板的橋接區域，實現多晶粒高速互連。
EMIB 並非全新發明，而是一種更實用、更模組化的 2.5D 封裝架構。傳統封裝若要實現 chiplet（晶粒模組）之間的高速傳輸，往往需要昂貴的矽中介層（interposer）。EMIB 則透過嵌入基板內的矽橋接器，以局部的方式實現晶粒間連結，提升效能、降低成本，同時兼顧設計彈性。
這種設計讓不同功能模組（CPU、GPU、IO、記憶體）可分別以最適合的製程製造，再透過封裝階段進行整合，大幅提升製造效率與系統整體效能。Foveros 是什麼？
Foveros 是 Intel 的 3D 封裝技術平台，主打異質晶粒的垂直堆疊。下層 base die 通常負責電源管理與快取，上層 compute die 負責邏輯運算。兩者透過 TSV（穿矽通孔）與 micro-bump 互連，未來版本將採 hybrid bonding 以提升頻寬與降低延遲。
Foveros 的設計自由度極高，讓不同功能晶粒可使用不同製程製造，並在封裝階段整合成單一 SoC。這不僅提升系統效能，也有助於加快產品設計週期。Intel 亦強調 Foveros 的 power delivery 與熱管理優勢，結合專用低電阻 TSV 技術，可顯著改善高功耗晶片的供電效率，這對資料中心與邊緣 AI 裝置至關重要。
補充一點有趣背景：Foveros 這個名字來自希臘語「φοβερός」，原意為「驚人的、卓越的」。這不只是命名巧思，也反映 Intel 對此項技術作為未來封裝基礎平台的高度期待與雄心。
EMIB × Foveros：橫向與垂直的互補組合
為進一步擴展封裝整合邊界，Intel 推出 Co-EMIB 技術（Complementary EMIB）。這項技術允許多個 Foveros 堆疊模組在同一封裝基板上進行互聯，並透過多個 EMIB 橋接實現系統級整合（System-Level Integration）。
而 Co-EMIB 背後的核心理念，正是 ODI（Omni-Directional Interconnect，全向互聯）。ODI 並非全新材料或封裝工法，而是將 EMIB（2.5D）與 Foveros（3D）的互聯邏輯整合成一種更加自由彈性的「封裝內互聯網路」。
ODI 的價值在於，它允許 chiplet 在任意方向彼此通訊，使設計師不再受限於晶粒位置排布。這種全向互聯的網狀結構，打破過去點對點、固定方向的設計邏輯，是支撐 Co-EMIB 等大型異質系統封裝的關鍵抽象層。
舉例來說，在 Ponte Vecchio 中，Intel 使用 Co-EMIB 技術整合超過 40 個 chiplet，結合 EMIB 的矽橋與 Foveros 的 3D 堆疊，完成高度模組化的超級運算平台。這種系統級封裝模式，讓多個邏輯與記憶體模組能分散配置卻保持高度協同。
此外，Co-EMIB 的發展也同步考量後續熱傳導與電源供應挑戰，透過分層電力分配與精密熱設計，確保高功耗模組在高密度封裝下仍具穩定性。
與台積電 CoWoS 的對決：成熟 vs 模組化
在封裝領域，台積電的 CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate） 是市場主流。其設計以大面積矽中介層為基礎，支援高頻寬記憶體（如 HBM）與大量晶粒整合。NVIDIA、AMD、Apple 等高階晶片幾乎都採用 CoWoS 平台。
然而，這種設計成本高、彈性低，限制了晶片模組化與重複利用的可能性。相比之下，EMIB 的局部橋接方式 可針對不同設計需求彈性調整，搭配 Foveros 的垂直結構與未來的玻璃基板支持，Intel 正試圖建立出一個真正模組化、可擴展的封裝生態。
但目前最大的挑戰仍在於：Intel 封裝雖具備技術潛力，卻尚未建立起足夠規模的客戶採用與供應鏈配套。反觀台積電的 CoWoS 已與日月光、SK Hynix 等形成封裝供應體系，市佔率優勢明確。
