ASML 最新展望報告：AI 驅動下的半導體新時代
投資摘要
• ASML 預計 2025 年營收介於 300 億至 350 億歐元，主要由 AI 等高運算需求推動先進製程技術升級所帶動。
• 長期展望（2030 年）營收上看 440~600 億歐元，毛利率 56~60%，顯示在 AI 與先進製程普及的雙重驅動下，ASML 於全球光刻設備市場的領導地位仍將穩固。
• 公司產品線涵蓋低 NA EUV、高 NA EUV、DUV 及 E-beam 多光束檢測，為半導體產業提供完整先進解決方案，建議持續關注其在設備技術與產能擴充之佈局。
背景與公司
1. 市場背景：AI 帶動先進製程需求
- 高運算需求激增：生成式 AI、雲端運算、高速網路等應用，顯著提升對邏輯及記憶體的需求。
- 技術門檻提升：更複雜的晶片設計需要更精細的線寬控制與更高的良率，推動業者對高端光刻設備的投資。
- 記憶體（Memory）業務持續強勁
- 邏輯（Logic）業務預計將因應AI需求而成長
- 安裝基礎業務將持續擴大，且EUV工具在其中占比增加
2.關鍵地位：技術與生態系
技術領先：不斷突破製程極限
A. EUV（極紫外線）技術
• 低NA與高NA產品線：
• 低NA EUV（例如NXE3800）已進入量產階段，成為當前先進製程的主力設備，支持晶片製造商達到更高解析度及線寬控制精度。
• 高NA EUV則是下一代技術路徑，旨在進一步突破製程極限，提供更高的解析度與更細微的結構加工能力，從而應對未來更複雜的晶片設計需求。
⚠ 補充：高 NA EUV 的技術挑戰：
• 由於 光學數值孔徑（NA）提升，導致景深變淺，會增加 光罩與晶圓對準的難度，因此需要新的光刻對準與補償技術。
• 雙重曝光（Double Patterning）技術：高 NA EUV 因為景深變淺，可能仍需 雙重曝光技術 來達成特定解析度，而非單純依靠更高 NA。
• 技術壁壘與研發投入：
• ASML長期以來在光刻技術上的研發投入形成了極高的技術壁壘。這不僅體現在光學設計、光源穩定性、精密機械控制及系統集成等多個方面，也涉及了先進的軟硬體整合能力。
• 高度自動化和精密的製程控制系統，確保了光刻機能在納米級精度下運行，這是業界無法輕易複製的核心競爭力。
B. DUV與其他輔助技術
• DUV（深紫外線）技術：
• 除了EUV，ASML在DUV（如浸漬技術）領域依然保持強勁的技術優勢。最新一代產品如NXT2150在產能與速度上均有顯著提升，滿足部分中階製程需求。
• E-beam及多光束技術：
• 多光束E-beam檢測技術進一步提升了檢測效率和良率分析能力，幫助客戶在製程中提前發現缺陷並進行優化，從而降低製程風險與生產成本。
⚠ 補充：DUV 需求仍然強勁：
• 目前部分 先進邏輯製程（Intel、台積電）仍搭配 DUV 使用，特別是在 5nm 以上製程 仍然需要 DUV 進行多重曝光。
• 近期全球車用、IoT、工業電子等領域的 成熟製程需求增加，促使 DUV 設備需求上升。
C. E-beam 檢測技術
•ASML 透過 HMI（Hermes Microvision）技術 推出 多光束電子束檢測設備，提升缺陷檢測效率。
⚠ 補充：EUV 需要更高效的缺陷檢測技術：
• EUV 採用的光罩（Mask）技術比 DUV 複雜，因此 EUV Mask 缺陷檢測需求提升。
• ASML 的 E-beam 技術（多光束電子束掃描）有助於快速檢測 EUV Mask 缺陷，確保更高良率。
生態系統層面
• 與主要晶圓製造商深度合作，共同開發高 NA EUV 技術，確保產能與良率提升。
• 供應鏈整合強化技術護城河，但 EUV 反射鏡、光源仍是關鍵瓶頸。
• 數位化與 AI 強化設備運行與維護，提升整體製程穩定性。
⚠ 補充：EUV 競爭格局
• 中國企業嘗試開發 EUV，但短期內無法競爭：上海微電子裝備（SMEE） 預計 2025 年推出 28nm DUV 設備，但 EUV 技術仍遙遠。
• Nikon、Canon 在 DUV 領域仍具競爭力，但在 EUV 市場無法挑戰 ASML。
3. 新一輪增長週期：AI 與積極投資
• 區域產能分散化：各主要經濟體出於供應鏈安全與技術自主需求，加大對本土晶片製造的投資，拉動先進設備需求。
• 記憶體與邏輯雙驅動：AI 相關高階記憶體（HBM 等）與先進邏輯（CPU、GPU、NPU）均需大量光刻層次，提高浸潤式與 EUV 設備的利用率。
財務與展望
1. 短期展望（2025）
• 2025年展望
• 預計總營收介於300億至350億歐元，毛利率維持在51%～53%的區間。
• AI需求被視為主要成長引擎：若客戶持續投入產能，可能達到預測區間的上限；但若存在不確定性，則可能落在較低端。
• 各業務區隔方面，記憶體業務仍將保持強勁，邏輯業務因應AI趨勢預計將有所成長，安裝基礎業務亦會隨著EUV工具數量的提升和更多升級活動而進一步擴大。
• Q1預期
- Q1 營收預估介於75億至80億歐元，其中安裝基礎業務約佔21億歐元；
- 預計毛利率在52%～53%，略高於Q4水平，主要得益於本季不包含高端A的收入認列。
2. 中長期展望（2030）
• 營收目標：440~600 億歐元
• 毛利率：56~60%
• 成長動能：AI、先進製程數量與複雜度持續攀升，大幅推動 EUV/DUV 出貨量；多光束檢測與升級服務貢獻度提高。
主要成長驅動
- AI 與高效能運算 (HPC)：對高階邏輯晶片與記憶體（特別是 HBM）需求增長。
- 先進製程節點演進：EUV 使用層次增加，加速浸潤式 (Immersion) 與 EUV 機種的迭代。
- 區域晶片製造去集中化：美國、歐洲、中國及亞洲其他國家皆持續擴充本土產能，進一步支撐對先進設備的購買力。
- 客戶產品組合與資本開支擴大：龍頭晶圓代工廠、IDM 業者（整合元件製造商）持續進行資本支出，推動 ASML 全系列產品（EUV、DUV、檢測）需求。
風險與不確定性
• 高端A收入認列影響
• Q4因提前認列兩台高端A工具的收入，雖對毛利率產生負面影響，但由於相關成本低於預期，最終毛利率反而超出預期；
• 反觀Q1，由於不再認列高端A收入，短期內將缺少此項正面「毛利率調整效應」，這可能對第一季毛利率造成一定壓力。
• 浸漬系統銷售數量下降
• Q1預期中指出，浸漬銷售數量將略低，這對毛利率產生不利影響，雖然總體預測仍樂觀，但這是需要留意的短期風險因素。
• 出口管制及地區因素
• 美國及荷蘭近期的新出口管制措施，雖已在指引中反映，但其不確定性仍可能對部分客戶訂單及市場拓展產生影響；
• 中國市場方面，2024年因歷史積壓效應而營收偏高，預計2025將恢復至較正常比例，這意味著短期內中國貢獻度可能會相對降低。
• 訂單數據的波動性
• 由於訂單（PO Bookings）具有較大波動性，單季數據可能無法完全反映業務真實動能，公司未來將以年度積壓作為更具參考性的指標。
結論與建議
綜合來看，ASML 在全球高端光刻設備市場具有不可替代的領先地位，其短期營收與毛利率指引均維持穩定成長，同時亦掌握了 AI 應用驅動下的長期市場機會。雖然地緣政治、出口管制等因素帶來一定不確定性，但從技術領先度與市場地位來看，ASML 預計持續受惠於半導體產業向先進製程（EUV / High NA / 多光束檢測）邁進的趨勢。
建議：
1. 維持長線觀點：聚焦於 ASML 在先進製程與全球擴廠潮中的結構性成長潛力。
2. 密切追蹤地緣政治及技術進展：即時掌握出口管制政策及客戶資本支出計劃的變動，以評估對公司營收的影響。
3. 關注高 NA EUV 與檢測業務增長：此為 ASML 的中長期成長引擎，也是與其他競爭者拉開差距的技術壁壘。
