ASML 最新展望報告:AI 驅動下的半導體新時代

更新於 發佈於 閱讀時間約 9 分鐘


投資摘要


ASML 預計 2025 年營收介於 300 億至 350 億歐元,主要由 AI 等高運算需求推動先進製程技術升級所帶動。

長期展望(2030 年)營收上看 440~600 億歐元,毛利率 56~60%,顯示在 AI 與先進製程普及的雙重驅動下,ASML 於全球光刻設備市場的領導地位仍將穩固。

• 公司產品線涵蓋低 NA EUV、高 NA EUV、DUV 及 E-beam 多光束檢測,為半導體產業提供完整先進解決方案,建議持續關注其在設備技術與產能擴充之佈局。




背景與公司


1. 市場背景:AI 帶動先進製程需求

  1. 高運算需求激增:生成式 AI、雲端運算、高速網路等應用,顯著提升對邏輯及記憶體的需求。
  2. 技術門檻提升:更複雜的晶片設計需要更精細的線寬控制與更高的良率,推動業者對高端光刻設備的投資。
  3. 記憶體(Memory)業務持續強勁
  4. 邏輯(Logic)業務預計將因應AI需求而成長
  5. 安裝基礎業務將持續擴大,且EUV工具在其中占比增加


2.關鍵地位:技術與生態系


技術領先:不斷突破製程極限

A. EUV(極紫外線)技術

低NA與高NA產品線:

低NA EUV(例如NXE3800)已進入量產階段,成為當前先進製程的主力設備,支持晶片製造商達到更高解析度及線寬控制精度。

高NA EUV則是下一代技術路徑,旨在進一步突破製程極限,提供更高的解析度與更細微的結構加工能力,從而應對未來更複雜的晶片設計需求。

補充:高 NA EUV 的技術挑戰
• 由於 光學數值孔徑(NA)提升,導致景深變淺,會增加 光罩與晶圓對準的難度,因此需要新的光刻對準與補償技術
雙重曝光(Double Patterning)技術:高 NA EUV 因為景深變淺,可能仍需 雙重曝光技術 來達成特定解析度,而非單純依靠更高 NA。

技術壁壘與研發投入:

• ASML長期以來在光刻技術上的研發投入形成了極高的技術壁壘。這不僅體現在光學設計、光源穩定性、精密機械控制及系統集成等多個方面,也涉及了先進的軟硬體整合能力。

• 高度自動化和精密的製程控制系統,確保了光刻機能在納米級精度下運行,這是業界無法輕易複製的核心競爭力。

B. DUV與其他輔助技術

DUV(深紫外線)技術:

• 除了EUV,ASML在DUV(如浸漬技術)領域依然保持強勁的技術優勢。最新一代產品如NXT2150在產能與速度上均有顯著提升,滿足部分中階製程需求。

E-beam及多光束技術:

• 多光束E-beam檢測技術進一步提升了檢測效率和良率分析能力,幫助客戶在製程中提前發現缺陷並進行優化,從而降低製程風險與生產成本。

補充:DUV 需求仍然強勁
• 目前部分 先進邏輯製程(Intel、台積電)仍搭配 DUV 使用,特別是在 5nm 以上製程 仍然需要 DUV 進行多重曝光。
• 近期全球車用、IoT、工業電子等領域的 成熟製程需求增加,促使 DUV 設備需求上升。

C. E-beam 檢測技術

•ASML 透過 HMI(Hermes Microvision)技術 推出 多光束電子束檢測設備,提升缺陷檢測效率。

補充:EUV 需要更高效的缺陷檢測技術
EUV 採用的光罩(Mask)技術比 DUV 複雜,因此 EUV Mask 缺陷檢測需求提升
• ASML 的 E-beam 技術(多光束電子束掃描)有助於快速檢測 EUV Mask 缺陷,確保更高良率。

生態系統層面

與主要晶圓製造商深度合作,共同開發高 NA EUV 技術,確保產能與良率提升。

供應鏈整合強化技術護城河,但 EUV 反射鏡、光源仍是關鍵瓶頸。

數位化與 AI 強化設備運行與維護,提升整體製程穩定性。

補充:EUV 競爭格局
中國企業嘗試開發 EUV,但短期內無法競爭上海微電子裝備(SMEE) 預計 2025 年推出 28nm DUV 設備,但 EUV 技術仍遙遠
Nikon、Canon 在 DUV 領域仍具競爭力,但在 EUV 市場無法挑戰 ASML。

3. 新一輪增長週期:AI 與積極投資

區域產能分散化:各主要經濟體出於供應鏈安全與技術自主需求,加大對本土晶片製造的投資,拉動先進設備需求。

記憶體與邏輯雙驅動:AI 相關高階記憶體(HBM 等)與先進邏輯(CPU、GPU、NPU)均需大量光刻層次,提高浸潤式與 EUV 設備的利用率。






財務與展望

1. 短期展望(2025)


2025年展望

• 預計總營收介於300億至350億歐元,毛利率維持在51%~53%的區間。

AI需求被視為主要成長引擎:若客戶持續投入產能,可能達到預測區間的上限;但若存在不確定性,則可能落在較低端。

• 各業務區隔方面,記憶體業務仍將保持強勁邏輯業務因應AI趨勢預計將有所成長安裝基礎業務亦會隨著EUV工具數量的提升和更多升級活動而進一步擴大

Q1預期

  • Q1 營收預估介於75億至80億歐元,其中安裝基礎業務約佔21億歐元;
  • 預計毛利率在52%~53%,略高於Q4水平,主要得益於本季不包含高端A的收入認列。


2. 中長期展望(2030)


營收目標:440~600 億歐元

毛利率:56~60%

成長動能:AI、先進製程數量與複雜度持續攀升,大幅推動 EUV/DUV 出貨量;多光束檢測與升級服務貢獻度提高。




主要成長驅動


  1. AI 與高效能運算 (HPC):對高階邏輯晶片與記憶體(特別是 HBM)需求增長。
  2. 先進製程節點演進:EUV 使用層次增加,加速浸潤式 (Immersion) 與 EUV 機種的迭代。
  3. 區域晶片製造去集中化:美國、歐洲、中國及亞洲其他國家皆持續擴充本土產能,進一步支撐對先進設備的購買力。
  4. 客戶產品組合與資本開支擴大:龍頭晶圓代工廠、IDM 業者(整合元件製造商)持續進行資本支出,推動 ASML 全系列產品(EUV、DUV、檢測)需求。




風險與不確定性


高端A收入認列影響

• Q4因提前認列兩台高端A工具的收入,雖對毛利率產生負面影響,但由於相關成本低於預期,最終毛利率反而超出預期;

• 反觀Q1,由於不再認列高端A收入,短期內將缺少此項正面「毛利率調整效應」,這可能對第一季毛利率造成一定壓力。

浸漬系統銷售數量下降

• Q1預期中指出,浸漬銷售數量將略低,這對毛利率產生不利影響,雖然總體預測仍樂觀,但這是需要留意的短期風險因素。

出口管制及地區因素

• 美國及荷蘭近期的新出口管制措施,雖已在指引中反映,但其不確定性仍可能對部分客戶訂單及市場拓展產生影響;

• 中國市場方面,2024年因歷史積壓效應而營收偏高,預計2025將恢復至較正常比例,這意味著短期內中國貢獻度可能會相對降低。

訂單數據的波動性

• 由於訂單(PO Bookings)具有較大波動性,單季數據可能無法完全反映業務真實動能,公司未來將以年度積壓作為更具參考性的指標。



結論與建議


綜合來看,ASML 在全球高端光刻設備市場具有不可替代的領先地位,其短期營收與毛利率指引均維持穩定成長,同時亦掌握了 AI 應用驅動下的長期市場機會。雖然地緣政治、出口管制等因素帶來一定不確定性,但從技術領先度與市場地位來看,ASML 預計持續受惠於半導體產業向先進製程(EUV / High NA / 多光束檢測)邁進的趨勢。


建議:

1. 維持長線觀點:聚焦於 ASML 在先進製程與全球擴廠潮中的結構性成長潛力。

2. 密切追蹤地緣政治及技術進展:即時掌握出口管制政策及客戶資本支出計劃的變動,以評估對公司營收的影響。

3. 關注高 NA EUV 與檢測業務增長:此為 ASML 的中長期成長引擎,也是與其他競爭者拉開差距的技術壁壘。

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