大家早安，今天我們要談的是半導體製程的下一個關鍵工具——High-NA EUV。2019 年 EUV 進入量產後，台積電、Intel 和 Samsung 都已在 7 奈米到 3 奈米節點驗證了它的可行性。隨著產業逼近 2 奈米以下，ASML 將數值孔徑（NA）從 0.33 提升到 0.55，推出全新的 EXE 平台。2025 年，第一台 EXE:5200B 已在韓國 SK hynix 工廠完成組裝，象徵 High-NA EUV 正式跨出研發階段。
光刻解析度遵循公式 Resolution ≈ k₁ × λ / NA。過去幾十年，產業先靠縮短波長，再靠改善 k₁ 推進。High-NA 的特殊性在於，它是第一次真正以 NA 的提升作為推進槓桿，將解析度再往下推約 70%，為 2 奈米與 1.4 奈米節點打開通道。（延伸閱讀：光刻演進 5/6｜EUV 光刻技術成為先進製程的唯一選擇）
光罩與光阻的雙重挑戰
High-NA 的難點不只是更大機台。鏡頭採用 4×/8× 非等向設計，使 Chief Ray Angle（主射線夾角） 從傳統 EUV 的約 6° 降至 4–5°，確保光線能順利進入透鏡。但隨之而來的問題是 入射角分佈變寬且 X/Y 不對稱，放大了光罩的三維效應，包括陰影效應與相位誤差。傳統 EUV 光罩由 Mo/Si 多層膜反射基底與 TaBN 吸收層構成，在 High-NA 下必須改良。業界正研究低折射率吸收層與更嚴格的基板平整度，同時也需要更精密的 Mask Blank 檢測。
除了光罩，光阻也成為瓶頸。金屬氧化物光阻（例如 Inpria）在 EUV 時代已是解法之一，但在 High-NA 條件下出現更高的隨機缺陷率，成為量產的最大疑慮。這些議題將分別在未來的光罩與材料系列中展開更完整的探討。
命名的演進
ASML 的命名反映了技術世代的變化
- DUV：XT 系列是最早的量產工具，用於 KrF 與 ArF；NXT 系列代表 ArF 浸潤式世代，例如 NXT:1950i，是 45 奈米到 7 奈米的主力
- EUV 0.33NA：對應 NXE 系列，數值孔徑 0.33，包括 NXE:3400C、NXE:3600D 到最新的 NXE:3800E，支撐了 5 奈米與 3 奈米量產
- EUV 0.55NA （High-NA）：命名為 EXE 系列，如 EXE:5000 與 EXE:5200B，專為 2 奈米以下世代設計
從 XT → NXT → NXE → EXE，可以看到產業先靠縮短波長，再藉由改善 k1，如今則以提升 NA 推進摩爾定律。
（延伸閱讀：光刻演進 1/ 6｜g-line 時代帶動半導體微影量產的起點、光刻演進 2/ 6｜i-line 技術推動亞微米突破與日本設備崛起、光刻演進 3/ 6｜KrF 深紫外光登場讓製程跨入新世代、光刻演進 4/ 6｜ArF 技術展現 DUV 的極限與持續用途）
各大廠的不同選擇
在技術上 High-NA 是必要的，但各家廠商的進度與態度差異很大。
- Intel：最積極的推動者，已接收 EXE:5200B，並將其定位於 14A 節點，目標 2026 年量產。它同時與 imec、ASML、IBM 合作，嘗試把 EUV 延伸至 14 Å，為 GAA 與 CFET 做準備。
- TSMC：採取保守策略，已接收研發用機台，但公開表示 A14 不需 High-NA，也能持續推進，真正導入可能要到 N2P 或更晚世代。
- SK hynix：記憶體領域的先行者，在韓國工廠完成首台 EXE:5200B 組裝，鎖定 1b/1c DRAM 開發。
- Samsung：腳步最不明確，雖傳出考慮購入 High-NA 以加速 2 奈米開發，但因成本與風險高企，進度仍顯觀望。
值得注意的是，產業內部並非一致看好。部分 Intel 主管甚至指出，未來晶片製造可能更多依靠多重曝光與自對準圖案化，High-NA 的角色未必如 EUV 當年那樣不可或缺。
政策與資金的角色
美國 CHIPS Act 簽署現場，象徵政府對半導體的支持。
High-NA 每台造價超過 3 億美元，且產能有限。美國透過 CHIPS Act 協助 Intel 導入，歐盟則補貼 IMEC 建置先進研究線。這使 High-NA 不只是製程工具，而是國家級戰略資產，直接牽動供應鏈與地緣政治。
High-NA EUV 是 EUV 的自然延伸，也是 2 奈米以下世代的核心實驗。它帶來解析度進步，但同時推高了光罩、光阻與檢測的挑戰。Intel 的激進、TSMC 的穩健、SK hynix 的探索與 Samsung 的觀望，代表了不同的市場策略。未來兩三年，隨著流片結果揭曉，產業才能判斷 High-NA 是必經之路，還是昂貴的過渡。
