基於各大記憶體原廠將資源與產能集中於 HBM 生產或進行製程升級，從而排擠了常規記憶體產能，短期內記憶體仍將維持供需吃緊態勢。至於中國廠商雖然有擴廠計畫，但因半導體產能從建廠到量產需耗時 2 至 3 年，且產能將優先填補中國內需缺口，對全球供給的外溢影響十分有限。
在需求方面，AI 模型進入推論階段後產生大量非結構化資料，創造出龐大的儲存需求，使 NAND 需求轉為結構性爆發。受限於 HBM 與 DRAM 的容量與成本，NVIDIA Rubin 架構導入了分層記憶體架構，使 KV Cache 開始由 GPU 向外延伸至 SSD 與雲端。此舉促使本地 SSD 成為推論記憶體儲存節點，正式進入 AI 推論核心體系，帶動企業級 SSD 需求快速擴張。在供給受限與強勁需求的雙重支撐下，NAND 價格已進入上行週期並逐漸轉為賣方主導。2025 年第 4 季起現貨價格率先反映供給缺口，2026 年第 1 季合約價亦明顯跟進大幅上調。由於全球原廠維持嚴格的資本支出紀律且晶圓投片量不增反減，主要位元供給成長僅來自 3D NAND 層數提升，記憶體漲價至 2027 年已成為相當確立的趨勢，也讓台灣相關供應鏈獲利具有再上修的底氣。
#記憶體 #NAND #NVIDIA #Rubin #供需吃緊
