【獨家整理】2025年各晶圓代工廠，BCD特殊製程發展及未來趨勢！

Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) 能把邏輯控制，精密類比與高壓功率元件整合在同一顆晶片上，它是手機PMIC、AI伺服器電源板乃至 SiC／GaN 驅動器的關鍵製程。以下快速巡覽主要晶圓代工廠的技術特色與2025年量產節奏。

_{撰文｜編輯部｜2025年7月}

技術版圖：節點橫跨0.6µm→40nm，且是首家把 BCD搬上12吋線的代工廠。

22nm BCD：官方已確認「全球最先進 22BCD 平台」研發中，可在更小面積整合 5–28 V 元件，並降低功耗與封裝尺寸。計畫在2025年完成量產導入，鎖定高階手機與 AI Notebook電源管理晶片。 

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2025年產能動向：南科Fab 18 12吋產線擴充後，22BCD 與 40BCD 將和 3 / 5 nm HPC 晶片共享「類先進製程」產能池，滿足手機、伺服器與車用雙重需求。

聯華電子（UMC）

技術版圖：BCD 節點自0.5 µm延伸至55 nm，最高耐壓達200 V，並具嵌入式 NVM 與 HV DMOS 元件。 

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2025年重點：

55nm BCD：鎖定車用 Grade-0、工控與快充 PMIC，已成UMC 12 吋主力；多家客戶於2025 H1進入高量跑車模式。

0.18 µm BCD：因汽車功率IC長尾訂單持續，竹科、南科8吋線仍維持滿載。

格羅方德（GlobalFoundries, GF）

130 BCDLite Gen2：支援至 40 V，Auto Grade 1 認證，已有 30+ 客戶設計導入。2023年底完成認證後，2025年在美國FAB 8、德國FAB 1與新加坡FAB 7三地擴大出貨，主攻車用MCU與馬達驅動。 

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40 ESF3 AutoPro175：強化40nm平台的175 °C 高溫可靠度，2025供應SDV（Software-Defined Vehicle）電源方案。

Tower Semiconductor

0.18µm & 65nm 平台：200mm 0.18BCD 鞏固傳統工控；最新300 mm 65 nm BCD（3.3 V 閘氧）於2025 APEC發表，鎖定 AI 伺服器VRM、行車電腦與行動PMIC，量產時程落在2025.H2。 

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Samsung Foundry

現行量產：8吋130 nm BCD（1.5 / 3.3 / 5 / 70 V＋eFlash）已服務車用PMIC與手機快充晶片。

路線圖：2025年將推出 130 nm 100 V BCD 與 90 nm 70 V BCD（含深槽隔離 +DTI），進一步提高功率密度與車規等級。

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中芯國際（SMIC）

55 nm BCD平台：2022年完成開發並交付客戶量產；2025年已成為中國車用PMIC與高壓顯示驅動主力製程。 

180 nm BCD：2025年Q1起大批導入 AI 伺服器電源板、AI 加速卡，填補成熟製程產能缺口。 

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觀察與投資啟示

技術趨勢：先進與成熟交錯佈局。TSMC、Tower 把BCD帶進65 nm以下；GF、Samsung透過130 / 90nm高壓強化車用可靠度；UMC、SMIC 以 55 nm撐起大宗需求。

產能策略：12吋BCD正快速擴張（TSMC、Tower、UMC），成本優勢對 8 吋產能形成擠壓；但8吋高壓 (>70 V) 仍有長期利基。

需求引擎：EV高壓平台、AI伺服器高功率 VRM、以及手機快充PMIC，推升40V以上高整合BCD 晶片滲透率。

投資佈局：瞄準具備12吋BCD、車規Grade-1／Grade-0 認證與22–65nm技術的代工廠；同時關注Tower與GF在北美、歐洲落實「在地化供應」的中長期紅利。

2025年是「BCD 進階化」與「產能12吋化」的拐點，誰能在40V以上高壓與22–65nm 節點率先卡位，誰就掌握下一輪電源晶片成長曲線。