🔼半導體產業
89免費公開
半導體上游
Top 5
到了2026 年，22–28 奈米不再是「中堅製程」，而是被迫在兩股力量之間拉扯：
一邊是中國持續擴產、價格戰壓力加劇；另一邊是車用／工控長約撐住高品質產線。整體結論只有一句話，全球 22–28nm 會進入「溫和過剩、結構分化」的年份。
到了2026 年，22–28 奈米不再是「中堅製程」，而是被迫在兩股力量之間拉扯：
一邊是中國持續擴產、價格戰壓力加劇；另一邊是車用／工控長約撐住高品質產線。整體結論只有一句話，全球 22–28nm 會進入「溫和過剩、結構分化」的年份。
AI 伺服器前端儲存，正悄悄變成下一個高功率熱點，Gen6 SSD 控制器把「前端儲存區」也推進了高功率密度時代，不再是只有 GPU/CPU 需要液冷，SSD 托盤本身也開始出現「直接液冷版」的新需求
AI 伺服器前端儲存，正悄悄變成下一個高功率熱點，Gen6 SSD 控制器把「前端儲存區」也推進了高功率密度時代，不再是只有 GPU/CPU 需要液冷，SSD 托盤本身也開始出現「直接液冷版」的新需求
2025.11.13這份 Morgan Stanley 報告大意是：DRAM 這一波漲價遠比市場想像兇，Micron（MU）進入「史上新高獲利區間」，所以把目標價從 220 美元大幅調高到 325 美元，並列為 Top Pick。
2025.11.13這份 Morgan Stanley 報告大意是：DRAM 這一波漲價遠比市場想像兇，Micron（MU）進入「史上新高獲利區間」，所以把目標價從 220 美元大幅調高到 325 美元，並列為 Top Pick。
當市場只盯著「NAND 價格起飛」時，聰明的投資人，應該開始掃描整條供應鏈的放大效應。每一顆容量翻倍、速度升級的 NAND 背後，都意味著：更複雜的控制器晶片（SSD/eMMC/UFS Controller）、更高功耗與更多軌電壓需要的 PMIC / DC-DC / LDO、更高速介面帶來的 PHY
當市場只盯著「NAND 價格起飛」時，聰明的投資人，應該開始掃描整條供應鏈的放大效應。每一顆容量翻倍、速度升級的 NAND 背後，都意味著：更複雜的控制器晶片（SSD/eMMC/UFS Controller）、更高功耗與更多軌電壓需要的 PMIC / DC-DC / LDO、更高速介面帶來的 PHY
從系統端主晶片、記憶體模組周邊 IC、供電相關 Power IC，到各式搭配 DDR4 的橋接與應用晶片，逐一拆解「搭配 DDR4 的晶片有哪些」
撰文｜編輯部｜2025年11月
一、系統端：內建 DDR4 控制器的主晶片
這一類就是「拿 DDR4 當工作記憶體」的主角晶片，本身內建 DDR
從系統端主晶片、記憶體模組周邊 IC、供電相關 Power IC，到各式搭配 DDR4 的橋接與應用晶片，逐一拆解「搭配 DDR4 的晶片有哪些」
撰文｜編輯部｜2025年11月
一、系統端：內建 DDR4 控制器的主晶片
這一類就是「拿 DDR4 當工作記憶體」的主角晶片，本身內建 DDR
要把 AI 的「算力」變成可落地的「資料力」，儲存控制器是關鍵樞紐。它同時要打通三條高速通道：主機介面（Host）、快閃記憶體介面（NAND）、工作記憶體介面（DRAM/LPDDR），外加一整套基礎類比/實體 IP（PLL、溫度感測、標準元件庫、SRAM Compiler、I/O 等）。
M31
要把 AI 的「算力」變成可落地的「資料力」，儲存控制器是關鍵樞紐。它同時要打通三條高速通道：主機介面（Host）、快閃記憶體介面（NAND）、工作記憶體介面（DRAM/LPDDR），外加一整套基礎類比/實體 IP（PLL、溫度感測、標準元件庫、SRAM Compiler、I/O 等）。
M31
ONFI 這種「I/O 介面」主要是給 NAND Flash 控制器 ↔ 外部 NAND 顆粒 用的，所以只要有用到「原生 NAND 顆粒」而且需要高頻寬的產品，幾乎都會用到它或同級的規格。
可以把它想成：
放在控制器晶片裡的一組 PHY / I/O 介面，負責跟外面的 NAND Flash 顆
ONFI 這種「I/O 介面」主要是給 NAND Flash 控制器 ↔ 外部 NAND 顆粒 用的，所以只要有用到「原生 NAND 顆粒」而且需要高頻寬的產品，幾乎都會用到它或同級的規格。
可以把它想成：
放在控制器晶片裡的一組 PHY / I/O 介面，負責跟外面的 NAND Flash 顆
AI 伺服器對 eSSD 的採購在 2024 年已超過 45 EB，且 16TB 以上容量佔比明顯上升；推論與向量資料庫帶動 4TB/8TB 搭配做「熱模型／索引快取」。
這直接拉動企業級 NVMe 控制器出貨與設計導入。
AI 伺服器對 eSSD 的採購在 2024 年已超過 45 EB，且 16TB 以上容量佔比明顯上升；推論與向量資料庫帶動 4TB/8TB 搭配做「熱模型／索引快取」。
這直接拉動企業級 NVMe 控制器出貨與設計導入。
重點結論（速讀）
2025 年 Q3 轉盈，終結連 11 季虧損；循環反轉與價格走升成主因。
韓美大廠產能向 HBM 傾斜，常規 DRAM（特別是 DDR5 / 伺服器 DRAM）出現結構性吃緊、價格強勢，對南亞科屬利多。
新北泰山 3000 億元新廠（EUV、雙層無塵室）已動土、規劃分階
重點結論（速讀）
2025 年 Q3 轉盈，終結連 11 季虧損；循環反轉與價格走升成主因。
韓美大廠產能向 HBM 傾斜，常規 DRAM（特別是 DDR5 / 伺服器 DRAM）出現結構性吃緊、價格強勢，對南亞科屬利多。
新北泰山 3000 億元新廠（EUV、雙層無塵室）已動土、規劃分階
三星電子釋出優於預期的第三季財報，並同步揭露下一波 AI 半導體競賽佈局：2 奈米製程在今季啟動量產，HBM4 則將自 2026 年起正式投入供應鏈。
第三季合併營收季增 15.4% 至 86.1 兆韓圜，刷新近年高點。最受矚目的記憶體事業線再次扮演火車頭，受惠
三星電子釋出優於預期的第三季財報，並同步揭露下一波 AI 半導體競賽佈局：2 奈米製程在今季啟動量產，HBM4 則將自 2026 年起正式投入供應鏈。
第三季合併營收季增 15.4% 至 86.1 兆韓圜，刷新近年高點。最受矚目的記憶體事業線再次扮演火車頭，受惠
前情提要：高通不是第一次做 AI 晶片
高通在資料中心 AI 推理領域其實並非新兵。過去曾推出過「Cloud AI 100 Ultra」推理卡，其規格為 870 TOPS、128 GB LPDDR4、支援 8 卡一機。
但市場反應不如預期，原因不少：市場已被 Nvidia、 AMD 等巨頭佔據，
前情提要：高通不是第一次做 AI 晶片
高通在資料中心 AI 推理領域其實並非新兵。過去曾推出過「Cloud AI 100 Ultra」推理卡，其規格為 870 TOPS、128 GB LPDDR4、支援 8 卡一機。
但市場反應不如預期，原因不少：市場已被 Nvidia、 AMD 等巨頭佔據，
華邦電正站在兩條軌道上，一條是利基 DRAM 的週期性修復（由供需錯配推動），另一條是車用與工控對安全快閃的結構性升級。短期盈虧仍受價格波動擾動；中期關鍵在高雄 12 吋產能與產品組合（Octal NOR／Secure Flash／HyperRAM）帶來的毛利結構改善。如果 DDR4 短缺延續到明年
華邦電正站在兩條軌道上，一條是利基 DRAM 的週期性修復（由供需錯配推動），另一條是車用與工控對安全快閃的結構性升級。短期盈虧仍受價格波動擾動；中期關鍵在高雄 12 吋產能與產品組合（Octal NOR／Secure Flash／HyperRAM）帶來的毛利結構改善。如果 DDR4 短缺延續到明年
需求正在加速滲透到一般伺服器與 AI 伺服器：2025 年 Q2 企業級 SSD 市場營收季增 12.7%，主因是北美雲商擴張與 NVIDIA Blackwell（GB 系列）拉貨帶動。
這代表 SSD 在資料中心儲存架構中的占比（以支出/容量計）持續上升。
Q1 因庫存干擾短暫放緩，Q2 已
需求正在加速滲透到一般伺服器與 AI 伺服器：2025 年 Q2 企業級 SSD 市場營收季增 12.7%，主因是北美雲商擴張與 NVIDIA Blackwell（GB 系列）拉貨帶動。
這代表 SSD 在資料中心儲存架構中的占比（以支出/容量計）持續上升。
Q1 因庫存干擾短暫放緩，Q2 已
在矽智財（IP）業界，M31 向來以「精品化、高階化」作為其差異化路徑。根據公開資料，M31 的營收主要仰賴授權金與權利金，其客戶涵蓋晶圓代工／設計公司，且多年以來積極深耕先進製程 IP 領域。
然而，要把「動能」轉化為長期可持續的成長，M31 正將焦點擺在了
在矽智財（IP）業界，M31 向來以「精品化、高階化」作為其差異化路徑。根據公開資料，M31 的營收主要仰賴授權金與權利金，其客戶涵蓋晶圓代工／設計公司，且多年以來積極深耕先進製程 IP 領域。
然而，要把「動能」轉化為長期可持續的成長，M31 正將焦點擺在了
在中國為中國，美國晶圓代工大廠的生存縫隙
在中美科技冷戰的陰影下，全球第三大晶圓代工廠格羅方德（GlobalFoundries, GFS）選擇了一條耐人尋味的路。8 月初，公司宣布與一家中國本地晶圓廠達成合作協議，將汽車級 CMOS 技術導入中國市場，並以「China for C
在中國為中國，美國晶圓代工大廠的生存縫隙
在中美科技冷戰的陰影下，全球第三大晶圓代工廠格羅方德（GlobalFoundries, GFS）選擇了一條耐人尋味的路。8 月初，公司宣布與一家中國本地晶圓廠達成合作協議，將汽車級 CMOS 技術導入中國市場，並以「China for C
南韓科技巨擘三星電子，再次投下晶片產業震撼彈。
根據韓國多家媒體綜合報導，三星電子於本週公告，已與一間未具名的全球客戶，簽署總額高達165億美元的晶片代工合約。這筆合約，約當三星2024年全年預估營收的7.6%，合作期限從2024年7月24日開始，直到2033年底，長達九年。
撰文｜編輯部｜20
南韓科技巨擘三星電子，再次投下晶片產業震撼彈。
根據韓國多家媒體綜合報導，三星電子於本週公告，已與一間未具名的全球客戶，簽署總額高達165億美元的晶片代工合約。這筆合約，約當三星2024年全年預估營收的7.6%，合作期限從2024年7月24日開始，直到2033年底，長達九年。
撰文｜編輯部｜20
2025年是「BCD 進階化」與「產能12吋化」的拐點，誰能在 40 V 以上高壓與22–65nm 節點率先卡位，誰就掌握下一輪電源晶片成長曲線。
撰文｜編輯部｜2025年7月
台積電（TSMC）
技術
2025年是「BCD 進階化」與「產能12吋化」的拐點，誰能在 40 V 以上高壓與22–65nm 節點率先卡位，誰就掌握下一輪電源晶片成長曲線。
撰文｜編輯部｜2025年7月
台積電（TSMC）
技術
隨著美元在第二季對台幣出現 12.11% 的大幅貶值，市場關注匯率波動對台灣科技業財報的衝擊。瑞昱擁有 新台幣 46.8 億元的美元淨多頭部位
隨著美元在第二季對台幣出現 12.11% 的大幅貶值，市場關注匯率波動對台灣科技業財報的衝擊。瑞昱擁有 新台幣 46.8 億元的美元淨多頭部位
愛普科技的美元部位明顯高於多數中小型IC設計公司，倘若未即時啟動避險機制，匯損將明顯侵蝕季度盈餘表現，投資人需密切關注公司對外幣風險管理的策略與執行情況。
愛普科技的美元部位明顯高於多數中小型IC設計公司，倘若未即時啟動避險機制，匯損將明顯侵蝕季度盈餘表現，投資人需密切關注公司對外幣風險管理的策略與執行情況。
以下預測是根據 2024 Q4～2025 Q2 各廠在法說會、研調機構（TrendForce、Counterpoint、EE Times 等）與媒體（Reuters、DIGITIMES）公開的數據與評論，並加入市場需求（AI/HPC 晶片、智慧手機拉貨、關稅前「追單」）與產能擴建進度做綜合推估。
以下預測是根據 2024 Q4～2025 Q2 各廠在法說會、研調機構（TrendForce、Counterpoint、EE Times 等）與媒體（Reuters、DIGITIMES）公開的數據與評論，並加入市場需求（AI/HPC 晶片、智慧手機拉貨、關稅前「追單」）與產能擴建進度做綜合推估。
Top 5
到了2026 年，22–28 奈米不再是「中堅製程」，而是被迫在兩股力量之間拉扯：
一邊是中國持續擴產、價格戰壓力加劇；另一邊是車用／工控長約撐住高品質產線。整體結論只有一句話，全球 22–28nm 會進入「溫和過剩、結構分化」的年份。
到了2026 年，22–28 奈米不再是「中堅製程」，而是被迫在兩股力量之間拉扯：
一邊是中國持續擴產、價格戰壓力加劇；另一邊是車用／工控長約撐住高品質產線。整體結論只有一句話，全球 22–28nm 會進入「溫和過剩、結構分化」的年份。
AI 伺服器前端儲存，正悄悄變成下一個高功率熱點，Gen6 SSD 控制器把「前端儲存區」也推進了高功率密度時代，不再是只有 GPU/CPU 需要液冷，SSD 托盤本身也開始出現「直接液冷版」的新需求
AI 伺服器前端儲存，正悄悄變成下一個高功率熱點，Gen6 SSD 控制器把「前端儲存區」也推進了高功率密度時代，不再是只有 GPU/CPU 需要液冷，SSD 托盤本身也開始出現「直接液冷版」的新需求
2025.11.13這份 Morgan Stanley 報告大意是：DRAM 這一波漲價遠比市場想像兇，Micron（MU）進入「史上新高獲利區間」，所以把目標價從 220 美元大幅調高到 325 美元，並列為 Top Pick。
2025.11.13這份 Morgan Stanley 報告大意是：DRAM 這一波漲價遠比市場想像兇，Micron（MU）進入「史上新高獲利區間」，所以把目標價從 220 美元大幅調高到 325 美元，並列為 Top Pick。
當市場只盯著「NAND 價格起飛」時，聰明的投資人，應該開始掃描整條供應鏈的放大效應。每一顆容量翻倍、速度升級的 NAND 背後，都意味著：更複雜的控制器晶片（SSD/eMMC/UFS Controller）、更高功耗與更多軌電壓需要的 PMIC / DC-DC / LDO、更高速介面帶來的 PHY
當市場只盯著「NAND 價格起飛」時，聰明的投資人，應該開始掃描整條供應鏈的放大效應。每一顆容量翻倍、速度升級的 NAND 背後，都意味著：更複雜的控制器晶片（SSD/eMMC/UFS Controller）、更高功耗與更多軌電壓需要的 PMIC / DC-DC / LDO、更高速介面帶來的 PHY
從系統端主晶片、記憶體模組周邊 IC、供電相關 Power IC，到各式搭配 DDR4 的橋接與應用晶片，逐一拆解「搭配 DDR4 的晶片有哪些」
撰文｜編輯部｜2025年11月
一、系統端：內建 DDR4 控制器的主晶片
這一類就是「拿 DDR4 當工作記憶體」的主角晶片，本身內建 DDR
從系統端主晶片、記憶體模組周邊 IC、供電相關 Power IC，到各式搭配 DDR4 的橋接與應用晶片，逐一拆解「搭配 DDR4 的晶片有哪些」
撰文｜編輯部｜2025年11月
一、系統端：內建 DDR4 控制器的主晶片
這一類就是「拿 DDR4 當工作記憶體」的主角晶片，本身內建 DDR
要把 AI 的「算力」變成可落地的「資料力」，儲存控制器是關鍵樞紐。它同時要打通三條高速通道：主機介面（Host）、快閃記憶體介面（NAND）、工作記憶體介面（DRAM/LPDDR），外加一整套基礎類比/實體 IP（PLL、溫度感測、標準元件庫、SRAM Compiler、I/O 等）。
M31
要把 AI 的「算力」變成可落地的「資料力」，儲存控制器是關鍵樞紐。它同時要打通三條高速通道：主機介面（Host）、快閃記憶體介面（NAND）、工作記憶體介面（DRAM/LPDDR），外加一整套基礎類比/實體 IP（PLL、溫度感測、標準元件庫、SRAM Compiler、I/O 等）。
M31
ONFI 這種「I/O 介面」主要是給 NAND Flash 控制器 ↔ 外部 NAND 顆粒 用的，所以只要有用到「原生 NAND 顆粒」而且需要高頻寬的產品，幾乎都會用到它或同級的規格。
可以把它想成：
放在控制器晶片裡的一組 PHY / I/O 介面，負責跟外面的 NAND Flash 顆
ONFI 這種「I/O 介面」主要是給 NAND Flash 控制器 ↔ 外部 NAND 顆粒 用的，所以只要有用到「原生 NAND 顆粒」而且需要高頻寬的產品，幾乎都會用到它或同級的規格。
可以把它想成：
放在控制器晶片裡的一組 PHY / I/O 介面，負責跟外面的 NAND Flash 顆
AI 伺服器對 eSSD 的採購在 2024 年已超過 45 EB，且 16TB 以上容量佔比明顯上升；推論與向量資料庫帶動 4TB/8TB 搭配做「熱模型／索引快取」。
這直接拉動企業級 NVMe 控制器出貨與設計導入。
AI 伺服器對 eSSD 的採購在 2024 年已超過 45 EB，且 16TB 以上容量佔比明顯上升；推論與向量資料庫帶動 4TB/8TB 搭配做「熱模型／索引快取」。
這直接拉動企業級 NVMe 控制器出貨與設計導入。
重點結論（速讀）
2025 年 Q3 轉盈，終結連 11 季虧損；循環反轉與價格走升成主因。
韓美大廠產能向 HBM 傾斜，常規 DRAM（特別是 DDR5 / 伺服器 DRAM）出現結構性吃緊、價格強勢，對南亞科屬利多。
新北泰山 3000 億元新廠（EUV、雙層無塵室）已動土、規劃分階
重點結論（速讀）
2025 年 Q3 轉盈，終結連 11 季虧損；循環反轉與價格走升成主因。
韓美大廠產能向 HBM 傾斜，常規 DRAM（特別是 DDR5 / 伺服器 DRAM）出現結構性吃緊、價格強勢，對南亞科屬利多。
新北泰山 3000 億元新廠（EUV、雙層無塵室）已動土、規劃分階
三星電子釋出優於預期的第三季財報，並同步揭露下一波 AI 半導體競賽佈局：2 奈米製程在今季啟動量產，HBM4 則將自 2026 年起正式投入供應鏈。
第三季合併營收季增 15.4% 至 86.1 兆韓圜，刷新近年高點。最受矚目的記憶體事業線再次扮演火車頭，受惠
三星電子釋出優於預期的第三季財報，並同步揭露下一波 AI 半導體競賽佈局：2 奈米製程在今季啟動量產，HBM4 則將自 2026 年起正式投入供應鏈。
第三季合併營收季增 15.4% 至 86.1 兆韓圜，刷新近年高點。最受矚目的記憶體事業線再次扮演火車頭，受惠
前情提要：高通不是第一次做 AI 晶片
高通在資料中心 AI 推理領域其實並非新兵。過去曾推出過「Cloud AI 100 Ultra」推理卡，其規格為 870 TOPS、128 GB LPDDR4、支援 8 卡一機。
但市場反應不如預期，原因不少：市場已被 Nvidia、 AMD 等巨頭佔據，
前情提要：高通不是第一次做 AI 晶片
高通在資料中心 AI 推理領域其實並非新兵。過去曾推出過「Cloud AI 100 Ultra」推理卡，其規格為 870 TOPS、128 GB LPDDR4、支援 8 卡一機。
但市場反應不如預期，原因不少：市場已被 Nvidia、 AMD 等巨頭佔據，
華邦電正站在兩條軌道上，一條是利基 DRAM 的週期性修復（由供需錯配推動），另一條是車用與工控對安全快閃的結構性升級。短期盈虧仍受價格波動擾動；中期關鍵在高雄 12 吋產能與產品組合（Octal NOR／Secure Flash／HyperRAM）帶來的毛利結構改善。如果 DDR4 短缺延續到明年
華邦電正站在兩條軌道上，一條是利基 DRAM 的週期性修復（由供需錯配推動），另一條是車用與工控對安全快閃的結構性升級。短期盈虧仍受價格波動擾動；中期關鍵在高雄 12 吋產能與產品組合（Octal NOR／Secure Flash／HyperRAM）帶來的毛利結構改善。如果 DDR4 短缺延續到明年
需求正在加速滲透到一般伺服器與 AI 伺服器：2025 年 Q2 企業級 SSD 市場營收季增 12.7%，主因是北美雲商擴張與 NVIDIA Blackwell（GB 系列）拉貨帶動。
這代表 SSD 在資料中心儲存架構中的占比（以支出/容量計）持續上升。
Q1 因庫存干擾短暫放緩，Q2 已
需求正在加速滲透到一般伺服器與 AI 伺服器：2025 年 Q2 企業級 SSD 市場營收季增 12.7%，主因是北美雲商擴張與 NVIDIA Blackwell（GB 系列）拉貨帶動。
這代表 SSD 在資料中心儲存架構中的占比（以支出/容量計）持續上升。
Q1 因庫存干擾短暫放緩，Q2 已
在矽智財（IP）業界，M31 向來以「精品化、高階化」作為其差異化路徑。根據公開資料，M31 的營收主要仰賴授權金與權利金，其客戶涵蓋晶圓代工／設計公司，且多年以來積極深耕先進製程 IP 領域。
然而，要把「動能」轉化為長期可持續的成長，M31 正將焦點擺在了
在矽智財（IP）業界，M31 向來以「精品化、高階化」作為其差異化路徑。根據公開資料，M31 的營收主要仰賴授權金與權利金，其客戶涵蓋晶圓代工／設計公司，且多年以來積極深耕先進製程 IP 領域。
然而，要把「動能」轉化為長期可持續的成長，M31 正將焦點擺在了
在中國為中國，美國晶圓代工大廠的生存縫隙
在中美科技冷戰的陰影下，全球第三大晶圓代工廠格羅方德（GlobalFoundries, GFS）選擇了一條耐人尋味的路。8 月初，公司宣布與一家中國本地晶圓廠達成合作協議，將汽車級 CMOS 技術導入中國市場，並以「China for C
在中國為中國，美國晶圓代工大廠的生存縫隙
在中美科技冷戰的陰影下，全球第三大晶圓代工廠格羅方德（GlobalFoundries, GFS）選擇了一條耐人尋味的路。8 月初，公司宣布與一家中國本地晶圓廠達成合作協議，將汽車級 CMOS 技術導入中國市場，並以「China for C
南韓科技巨擘三星電子，再次投下晶片產業震撼彈。
根據韓國多家媒體綜合報導，三星電子於本週公告，已與一間未具名的全球客戶，簽署總額高達165億美元的晶片代工合約。這筆合約，約當三星2024年全年預估營收的7.6%，合作期限從2024年7月24日開始，直到2033年底，長達九年。
撰文｜編輯部｜20
南韓科技巨擘三星電子，再次投下晶片產業震撼彈。
根據韓國多家媒體綜合報導，三星電子於本週公告，已與一間未具名的全球客戶，簽署總額高達165億美元的晶片代工合約。這筆合約，約當三星2024年全年預估營收的7.6%，合作期限從2024年7月24日開始，直到2033年底，長達九年。
撰文｜編輯部｜20
2025年是「BCD 進階化」與「產能12吋化」的拐點，誰能在 40 V 以上高壓與22–65nm 節點率先卡位，誰就掌握下一輪電源晶片成長曲線。
撰文｜編輯部｜2025年7月
台積電（TSMC）
技術
2025年是「BCD 進階化」與「產能12吋化」的拐點，誰能在 40 V 以上高壓與22–65nm 節點率先卡位，誰就掌握下一輪電源晶片成長曲線。
撰文｜編輯部｜2025年7月
台積電（TSMC）
技術
隨著美元在第二季對台幣出現 12.11% 的大幅貶值，市場關注匯率波動對台灣科技業財報的衝擊。瑞昱擁有 新台幣 46.8 億元的美元淨多頭部位
隨著美元在第二季對台幣出現 12.11% 的大幅貶值，市場關注匯率波動對台灣科技業財報的衝擊。瑞昱擁有 新台幣 46.8 億元的美元淨多頭部位
愛普科技的美元部位明顯高於多數中小型IC設計公司，倘若未即時啟動避險機制，匯損將明顯侵蝕季度盈餘表現，投資人需密切關注公司對外幣風險管理的策略與執行情況。
愛普科技的美元部位明顯高於多數中小型IC設計公司，倘若未即時啟動避險機制，匯損將明顯侵蝕季度盈餘表現，投資人需密切關注公司對外幣風險管理的策略與執行情況。
以下預測是根據 2024 Q4～2025 Q2 各廠在法說會、研調機構（TrendForce、Counterpoint、EE Times 等）與媒體（Reuters、DIGITIMES）公開的數據與評論，並加入市場需求（AI/HPC 晶片、智慧手機拉貨、關稅前「追單」）與產能擴建進度做綜合推估。
以下預測是根據 2024 Q4～2025 Q2 各廠在法說會、研調機構（TrendForce、Counterpoint、EE Times 等）與媒體（Reuters、DIGITIMES）公開的數據與評論，並加入市場需求（AI/HPC 晶片、智慧手機拉貨、關稅前「追單」）與產能擴建進度做綜合推估。