課程名稱：半導體元件及物理（Semiconductor Devices & Physics）
教科書：Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits（Chenming Calvin Hu）
一、課程目標（抓住主線就能穩）
本課以「物理直覺 → 元件結構 → 曲線行為 → IC應用」為主線，建立半導體載子、接面與 MOS 元件的核心理解，能把能帶圖、電荷分佈、關鍵方程式，以及 I–V / C–V 量測特徵串成完整邏輯，支援後續電子學、製程與 IC 設計學習。二、評分方式（高分策略重點）
- Homework：40%
- 每章結束後有教師指定作業數題
- 期末繳交「自繪概念地圖」作業
- Midterm：30%
- Final exam：30%
✅ 高分關鍵：作業權重最高（40%）。只要作業做扎實、概念地圖畫到位，考試壓力會明顯降低。
三、師生晤談（救觀念／補分最有效）
- 時間：
- 地點：
- 聯絡方式：email
建議帶去問的內容（效率最高）：
- 你最卡的 2 題作業（附你的解題草稿）
- 你的概念地圖草稿（請老師確認邏輯主線）
四、16 週進度與抓分重點（照這條線讀，不會迷路）
① 載子基礎｜Electrons and holes（Week 1–2）
1️⃣ 2026-02-24：Introduction；Electrons and holes in semiconductors
2️⃣ 2026-03-03：Electrons and holes in semiconductors（續） 要拿分：能帶、費米能階、n/p 型、濃度與溫度關係（先畫能帶圖再背公式）
② 載子運動與復合｜Motion & Recombination（Week 3–4）
3️⃣ 2026-03-10：Motion and recombination of electrons and holes
4️⃣ 2026-03-17：Motion and recombination（續） 要拿分：漂移/擴散、連續方程、壽命、復合機制（方向與量級題超常見）
③ 接面｜p-n + metal-semiconductor junctions（Week 5–7）
5️⃣ 2026-03-24：p-n and metal-semiconductor junctions
6️⃣ 2026-03-31：junctions（續）
7️⃣ 2026-04-07：junctions（續） 要拿分：耗盡區、內建電位、二極體 I–V、蕭特基/歐姆接觸判斷（後面 MOS 的基礎）
④ 期中考（Week 8）
8️⃣ 2026-04-14：期中考（30%）
⑤ MOS Capacitors（Week 9–11）
9️⃣ 2026-04-21：MOS capacitors
🔟 2026-04-28：MOS capacitors（續）
1️⃣1️⃣ 2026-05-05：MOS capacitors（續） 要拿分：Accumulation / Depletion / Inversion、C–V 曲線、Vt 概念（圖像理解最容易拿分）
⑥ MOS Transistors（Week 12–13）
1️⃣2️⃣ 2026-05-12：MOS transistors
1️⃣3️⃣ 2026-05-19：MOS transistors（續） 要拿分：Id–Vg、Id–Vd、線性/飽和區、gm（小訊號直覺開始建立）
⑦ MOSFET in ICs（Week 14–15）
1️⃣4️⃣ 2026-05-26：MOSFET in ICs
1️⃣5️⃣ 2026-06-02：MOSFET in ICs（續） 要拿分：短通道效應、寄生、可靠度與製程影響（把物理接到工程的關鍵章）
⑧ 期末考（Week 16）
1️⃣6️⃣ 2026-06-09：期末考（30%）
五、高分過關作戰法（照做就很穩）
1) 每章固定做 1 張「概念地圖草稿」
最穩的 4 節點模板：
(物理量) → (能帶/電荷分佈) → (方程式) → (I–V / C–V 特徵)
2) 作業每題都留「可稽核解題軌跡」
每題最後加兩行：
- 我用的假設（低注入/穩態/一維…）
- 結果的物理意義（方向、量級、極限情況）
3) 考前速讀只背三件事
- 重要公式（知道每個符號的物理意義）
- 能帶圖與狀態轉換（特別是 MOS 三狀態）
- I–V / C–V 曲線特徵（看到圖就能說出元件狀態）
六、本房間筆記產出格式（我會這樣整理）
- 每週筆記：重點推導＋能帶圖（Unicode）＋易錯點
- 作業區：題目拆解 → 解法 → 快速檢查點
- 考前區：期中/期末必背清單＋一頁總結
- 期末概念地圖：逐章模板 → 期末整合成一張總圖
