在 AI晶片封裝技術不斷精進、AI模型逐漸走向邊緣運算以及穿戴式裝置滲透度逐漸提高，筆者認為愛普 (TWSE:6531) 的主要產品及相關IP將在未來持續受益。看完這篇文章，你將可以理解以下:
- 產業背景介紹 - 矽電容 & 高頻寬記憶體
- 公司產品
- 公司財務狀況
- 公司估值
產業背景介紹
(一)矽電容
I. 先進封裝
隨著人工智慧物聯網（AIoT）、高效能運算（HPC）等主要半導體應用的持續發展，各家大廠對晶片封裝互連的高密度、高速傳輸及低延遲需求不斷提升，也帶動了先進封裝技術的快速演進與突破。
先進封裝（圖一）可將不同類型與製程節點的晶片──如邏輯晶片與記憶體晶片──整合於同一封裝中，實現 2.5D 封裝架構。藉此可有效縮短晶片間的訊號傳輸距離、降低延遲，並減少封裝體積，進一步提升整體效能與功耗表現。
圖一、CoWoS先進封裝架構
資料來源:數位時代
當晶片微縮逐漸逼近物理極限、系統設計趨向垂直堆疊時，各家廠商也開始重新思考如何優化晶片供電架構，以提升「每瓦算力」（performance per watt）。其中，電容元件的配置位置對功耗表現具有關鍵影響——電容越靠近主要運算晶片（如 CPU、GPU），導線阻抗與能量損耗越低，進而可有效降低整體功耗。
在此概念下，「將電容整合至中介層（Interposer）」的技術因應而生，藉由在矽中介層內嵌入電容，可顯著提升供電效率與訊號穩定性，也使得矽電容（Silicon Capacitor）的需求隨之浮現並快速成長（圖二）。
圖二、電容位置及電容值及電容厚度
資料來源:日月光官網
II. 穿戴式裝備
2024 年，Meta 與雷朋（Ray-Ban）共同推出智慧眼鏡 Ray-Ban Meta，一經上市便迅速走紅，全年銷售量突破百萬台，帶動「AI 眼鏡」成為繼智慧手機之後，最受矚目的次世代智慧終端裝置。隨著市場熱度上升，Google、Apple、小米、華為等國際大廠亦相繼投入相關產品的研發。
穿戴式裝置設計的核心在於「輕量化」。然而，相較於傳統僅由塑膠鏡框構成的眼鏡，智慧眼鏡內需整合多種元件，如晶片、電池、鏡頭與感測器等，使得重量與體積控制成為設計上的重大挑戰。為此，「內埋式載板（Embedded Substrate）」被視為解決此問題的可行方案之一。
在傳統載板設計中，所有電子元件皆安裝於電路板表面；但隨著消費性電子產品功能日益複雜、可用板面空間有限，留給電容等被動元件的配置空間逐漸減少。內埋式載板設計（圖二與圖三）則透過將部分元件直接嵌入載板中，不僅可節省空間，也能提升系統效能與訊號完整性。電容便是其中最常被嵌入的元件之一。
圖三、內埋式載板結構
資料來源 : IPCB官網
然而，內埋式載板對電容的要求極高，必須兼顧體積微小化、高電容值、穩定度與可靠性等特性。因此，除了傳統陶瓷電容（MLCC）之外，越來越多廠商開始採用矽電容（Silicon Capacitor），以滿足新世代穿戴式裝置在體積、效能與功耗間的嚴苛平衡需求。
(二) 高頻寬記憶體
在 AI 浪潮下，越來越多企業與研究機構導入各類人工智慧模型，甚至自行訓練專屬模型以提升營運效率。然而，考量到商業機密與研究資料的敏感性，並非所有單位都願意將資料上傳至雲端環境進行運算。此時，將模型建置於地端（on-premise），成為兼顧效率與資料安全的關鍵選項之一。
隨著各家語言模型開發商陸續推出小型化、低資源需求的模型版本，地端部署的可行性顯著提升。部分輕量模型甚至能在消費級顯示卡（如 NVIDIA RTX 5090）上運行，不再需要依賴價格高達新台幣兩百萬元等級的 GB200 超級 GPU 模組。這一轉變大幅降低企業部署 AI 模型的硬體門檻與成本，進而加速了 AI 技術在企業端的導入與應用普及。
除了 GPU 效能外，記憶體（VRAM）也是影響模型運行效率的關鍵因素。隨著模型參數規模不斷擴大，對 VRAM 的頻寬與容量需求同步提升。目前主流雲端資料中心多採用 HBM（High Bandwidth Memory，高頻寬記憶體） 以滿足此需求，但其高成本使得一般企業難以導入。
在此趨勢下，筆者認為 愛普（eMemory）旗下的 VHM Stack 技術平台，可望受惠於企業端對高頻寬、高容量且具成本效益之記憶體解決方案的強勁需求。該技術有潛力成為介於傳統 DRAM 與高階 HBM 之間的替代選項，助力地端 AI 應用的普及與落地。
公司產品
(一) IoT Ram
- PSRAM (虛擬靜態隨機存取記憶體)
是一種兼具 SRAM 操作介面 與 DRAM 儲存結構 的記憶體技術。其內部單元電路設計與 DRAM 類似，而外部介面（I/O Interface）則採用與 SRAM 相同的協定，因此在使用上可像 SRAM 一樣，僅需提供位址與讀寫指令即可直接存取資料，無須透過複雜的記憶體控制器進行週期性刷新。
在結構上，傳統 SRAM 需以 6 顆電晶體（6T） 儲存一個位元資料，而 PSRAM 僅使用 1 顆電晶體與 1 個電容（1T1C），在相同晶片面積下可實現更高的記憶體密度與容量，同時維持相對簡化的操作介面與較低功耗。
憑藉其在容量、功耗與成本間的平衡優勢，PSRAM 主要應用於 穿戴式裝置、物聯網（IoT）設備、智慧家居 等對功耗與空間高度敏感的消費性電子領域，逐漸成為輕量型記憶體解決方案的重要選項之一。
- LPDDR (Low Power DDR)
是一種專為行動裝置與便攜式電子產品設計的 DRAM 技術。與標準 DRAM 相比，LPDDR 透過在電源管理、時脈控制與資料傳輸架構上的優化，能顯著降低功耗，從而延長電池續航時間。
此外，LPDDR 模組採用更高的整合度與封裝密度，體積更小、厚度更薄，適合安裝於空間受限的裝置中，例如智慧型手機、平板電腦、穿戴式裝置及輕薄型筆電。其在功耗與體積間取得平衡，使其成為行動運算平台的主流記憶體解決方案。
(二) S-Sicap (矽電容技術)
公司的 S-SiCap 系列產品係以 DRAM 堆疊式電容技術 為基礎開發而成。相較於採用 深溝式電容（Deep Trench Capacitor） 技術的產品，S-SiCap 具備 更高的單位面積電容密度，同時具備 更小的體積與更薄的厚度，在效能與整合性上表現更為優異，特別適用於 先進封裝（Advanced Packaging） 及 嵌入式（Embedded） 應用領域。
此外，公司並與轉投資事業 來頡科技（Laijie Technology） 共同開發 垂直供電（Vertical Power Delivery）技術，提供客戶從電容設計至電源架構整合的完整解決方案，進一步強化產品在高效能運算及系統級封裝應用中的競爭力。
(三) VHM (異質整合高頻寬記憶體)
VHM 為愛普自主研發之 3D 堆疊高頻寬記憶體技術，旨在挑戰傳統 HBM（High Bandwidth Memory）架構的限制。
其關鍵優勢在於 3D 堆疊設計。相較於採用 2.5D 封裝的 HBM，愛普的設計可使 DRAM 晶片與 SoC 之間透過數萬支垂直接腳直接連接，實現 頻寬大幅提升、功耗顯著降低，並具備 節省空間 的效益（見圖四）。其終端應用涵蓋 雲端運算、邊緣運算 與 穿戴式裝置 等領域。
圖四、DRAM比較
資料來源 : 愛普、EE Times
就技術規格而言，VHM 展現出優於 HBM 的潛力與特性；然而，3D 堆疊所衍生的 良率下降、散熱困難 及 晶粒尺寸一致性 等挑戰，仍使業界對該技術的導入態度相對謹慎。
根據公司管理階層表示，首個 VHM Stack 設計專案已於今年定案，預計 2025 年底啟動試產，2027 年進入量產階段；同時，尚有多項設計專案持續進行中。此外，公司亦已與 台積電（TSMC）建立合作關係，以確保客戶未來產品在設計與製程上的相容性。
公司財務狀況
公司於 FY2021 至 FY2022 年間受惠於疫情紅利，營收顯著成長；然而 FY2023 年受整體半導體庫存調整週期影響，營收出現下滑，預期 自 2025 年起將逐步回升。
雖然近兩年營收呈現下降趨勢，但受惠於 產品組合持續優化，公司 稅後淨利仍維持高檔。2025 年第二季雖受 新台幣快速升值 之一次性匯兌影響，導致 過去 12 個月累計稅後淨利僅新台幣 6.25 億元、稅後淨利率約 13%，但若排除匯率因素，公司 本業獲利仍持續穩健成長。
圖五、營收及獲利能力
資料來源 : Capital IQ
在 財務結構 方面，公司與多數矽智財（IP）業者相同，營運重心著重於研發投入，無須進行大量生產設備及無塵室資本支出，因此 計息負債佔總資產比例長期維持在 1% 以下，過去五年最高亦僅 3.3%，整體 財務體質極為穩健。
圖六、計息負債比
資料來源 : Capital IQ
展望未來，公司主要成長動能來自 S-SiCap（矽電容系列） 及 VHM（異質整合高頻寬記憶體） 兩大產品線。
其中，VHM 系列已取得首個設計訂單並啟動量產專案，預計 2027 年正式進入量產階段，同時仍有多項設計案持續開發中；S-SiCap 產品 則已 開始逐步放量生產，可從近期法說會簡報中 S-SiCap 產品營收占比逐季提升 的趨勢觀察得知（見圖七）。
隨著 S-SiCap 的產能逐步擴張、新製程導入，以及 更多客戶採用 VHM 技術，公司 未來營收與獲利表現 皆可望持續成長。
圖七、營收結構
資料來源 : 愛普2025第二季法說會簡報
公司估值
以公司 過去 12 個月（LTM）每股盈餘（EPS） 推算，目前股價所對應的 本益比（P/E）約為 102.26 倍，為近三年來新高。主要原因在於 第二季每股盈餘因匯兌損失而顯著下滑，導致短期 P/E 顯著上升。然而，市場並未過度反應匯率的一次性影響，反而將重心放在 公司本業的長期成長潛力，顯示投資人對其未來發展仍具高度信心。
若以 未來 12 個月預估每股盈餘（NTM EPS） 計算，目前公司 本益比約為 41 倍，位於 過去三年平均水準，亦與 市場對矽智財（IP）產業普遍評價水準相符。
筆者認為，隨著 先進封裝及先進製程逐步導入 S-SiCap 產品，以及 VHM 技術在高頻寬記憶體領域展現的差異化競爭優勢，公司在未來數年具備顯著的成長潛力與技術領先地位。整體而言，愛普將是值得持續關注並具長期投資價值的公司之一。
圖八、P/E 及 未來12個月 P/E倍數
資料來源 : Capital IQ
投資警語｜Disclaimer
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