最近，市調機構公布2026記憶體產業資本支出的數字。其中，DRAM產業的資本支出在2025年將達到537億美元，預計2026年進一步成長至613億美元，年增率達14%。NAND Flash部分，資本支出在2025年為211億美元，2026年預計小幅增長至222億美元，年增約5%。
那麼，從資本資出的數字來看，2026年記憶體的發展會快速成長嗎？還是成長速度會逐漸減緩呢？
首先我想從幾個角度做分享。- DRAM資本支出。目前資本支出當中美光是最為積極的，預計資本支出達到135億美元，有23%的成長。海力士預計投入205億美元，年增17%主要是應對HBM4的擴產。三星則會投入200億美元，年增11%，著重在一些新的製程上。
不過美光的擴產主要著重在美國，而美國在生產線的擴產速度不像亞洲國家一樣快速，所以量產時間可能會比三星跟海力士更晚一些。
2. NAND資本支出。目前Kioxia跟Sandisk是投入的資本支出最多，來到45億美元，年成長41%。 而美光也目標在NAND增加伺服器應用的SSD預計會投資增加63%。
想反地，像三星跟海力士並沒有在NAND的部分大量擴廠，反而是把資源都集中在HBM上面。
代表除了資源的分配以外，韓國對於NAND的成長持較為保守的態度。
3. 市場概況。目前，的確AI的需求非常旺盛，也帶動了記憶體的需求，不論DRAM，HBM跟NAND，在產量跟價錢上都有大幅度的成長。
不過最大的問題在於，過往景氣循環的下行速度很快，對於記憶體的市場來說，常常沒有好到一年，又開始減產虧損。
對於記憶體景氣循環速度快，許多廠商就變得更加保守。
我認為，目前投資最大的，還是美光。因為美光不論DRAM跟NAND都有不錯的市佔率，更重要的是在HBM上，美光身為美國公司，目前在各大伺服器或是輝達跟AMD的使用上都會是其中一個主要供應商。
因此，美光可以看到可預見的未來，加上美國公司投資的力道較高，所以可以看到大幅度的資出在2026年。
反觀三星跟海力士，投資金額也不低，不過主要著重在HBM上，代表對於HBM的應用以外，三星跟海力士看不到未來有大幅度成長，加上自有產能相對於美光已經非常足夠，短時間不需要投入擴產需求，以免出現虧損。
整體來看，的確看到2026年的總DRAM資本資出只有增加14%，相較於前一年的81%成長，降低不少。代表AI以外的成長仍然非常不明確。不論是工控，車用，甚至是消費性電子，似乎頂多維持，並沒有明顯的需求增加。
這對於記憶體廠商來說，如果沒有通用性需求增加，就不會帶來大量擴產的需求。因為一旦過度擴產，將會造成記憶體價格快速下跌，反而會影響利潤，甚至連業績增加都變得有限。
因此觀望之下，投資就變得更加保守。我認為，2026年的大量投資，會在Q2之後才會發酵，如果成長持續旺盛，三大廠會在下半年追加，此時才會是『記憶體蓬勃』的開始。反之，如果沒有需求，將會進入業績跟股價的雙重修正。
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