三星衝刺 AI 記憶體軍備賽:Q3 業績亮眼、2 奈米與 HBM4 量產時程曝光

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三星電子釋出優於預期的第三季財報,並同步揭露下一波 AI 半導體競賽佈局:2 奈米製程在今季啟動量產,HBM4 則將自 2026 年起正式投入供應鏈。

撰文|編輯部|2025年10月


第三季合併營收季增 15.4% 至 86.1 兆韓圜,刷新近年高點。最受矚目的記憶體事業線再次扮演火車頭,受惠 AI 伺服器需求爆發與 HBM3E 放量,單季表現寫下歷史新高;同時 DX(Device eXperience)事業受折疊機與旗艦機銷售拉動,季增 11%。

但是,真正牽動投資人想像力的,是三星端出的兩項先進製程路線圖

HBM4:下一個 AI 武器庫

三星已向 NVIDIA、AMD 等客戶提供 HBM4 樣品,速度高達 11Gbps,指向下一代 AI 加速器平台的記憶體中樞角色。三星預期 HBM4 需求將向上不斷加溫,並計劃 2026 年量產、擴大產能與客戶滲透率。

戰略重點:

  • HBM3E 本季大規模供貨
  • HBM4 2026 年量產
  • 搶奪 AI 伺服器供應鏈核心席位
HBM 技術已成 AI 晶片競賽關鍵。NVIDIA Rubin、AMD Instinct、Google TPU、Amazon Trainium 皆高度依賴,高頻寬堆疊技術成半導體戰略資源。

邁向 2 奈米 GAA 時代:與 TSMC 正面交鋒

三星宣布本季起啟動 2nm Gate-All-Around(GAA)量產,涵蓋 ExynosQualcomm Snapdragon 平台,並將為 2026 年大規模擴張做準備。

同時,美國德州 Taylor 廠確定按表運行,擴大晶圓代工版圖。

與台積電(TSMC)競逐 2nm 制程主導權

三星此舉意味:

  • 先進製程競賽不再是一家獨大
  • AI 供應鏈將出現製程多元化
  • 美國本土供應鏈強化效果逐步顯現

大容量記憶體與 GDDR7:消費 + AI GPU 次世代組合

三星同時將推出 128GB+ DDR5 與 24Gb GDDR7,預計在 2026 年迎接 AMD、Intel 新伺服器平台周期,並搭上 NVIDIA Rubin CPX 與 RTX 50 系列升級潮

GDDR7 產品導向:

  • 高階遊戲 GPU
  • AI 個人工作站
  • Prosumer 創作者市場

一句話結論:

三星正把自己重新定位為「AI 半導體武器庫」,不再只依賴手機,而是用 2nm+HBM 作為新時代的籌碼。



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