AI 伺服器對 eSSD 的採購在 2024 年已超過 45 EB，且 16TB 以上容量佔比明顯上升；推論與向量資料庫帶動 4TB/8TB 搭配做「熱模型／索引快取」。
這直接拉動企業級 NVMe 控制器出貨與設計導入。
撰文｜編輯部｜2025年11月推論機種標配 PCIe 5.0、快速轉向 E1.S / E3.S（EDSFF）；為了壓尾延遲與散熱，甚至出現液冷 eSSD，顯示控制器功耗與熱設計門檻上升。Gen6 已開始量產導入。
IOPS 與 QoS 大幅抬升：推論是讀為主、小隨機、低尾延遲的 I/O 型態。NVIDIA 對儲存鏈的目標量級喊到 1 億 IOPS，供應商正以新控制器＋新型快閃（如 XL-Flash）往千萬級 IOPS前進。
- 媒體結構：資料中心 HDD 供給吃緊推升 QLC SSD作為讀多寫少的冷/溫資料替代；控制器需更強的 LDPC（4K LDPC）、讀擾管理與一致性 QoS。
- 工作負載變化：向量資料庫 / RAG 成為標配，官方建議本機 NVMe以確保延遲與穩定，進一步拉動控制器需求在「高並行小 I/O」上的優化。
對「SSD 控制器」的具體規格趨勢
- 介面與通道：PCIe 5.0 → 6.0：Gen5 成主流、Gen6 開始出貨；控制器須提供更高並發、低尾延遲調度與更嚴格的 QoS（tail latency 管控）。
- 外型與散熱：E1.S / E3.S 快速滲透；控制器功耗密度提升，配合主機板「前置風道＋導流」與新型液冷托盤的需求。
- NAND 與編碼：QLC 份額上升（讀多寫少的推論/向量索引、模型快取），控制器需具備4K LDPC、讀擾抑制、背景整理排程與更精細的寫放大控制。
- 協定與功能：NVMe 2.x 進階功能（多命名空間、SR-IOV 切片、ZNS/FDP）改善多租戶與順序化寫入；研究界與大會議程顯示 ZNS/FDP 正加速商用化，控制器韌體堆疊是差異化重點。
- 極致 IOPS 與近資料運算：針對 GPU 餵數據的瓶頸，產業正嘗試 XL-Flash / SLC 類技術與「AI/計算型 SSD」概念，控制器需支援更高併發、深度佇列與低抖動的排程；Kioxia、Phison 等已公開原型與方向。
量化與供需
- 市場規模：2025 年資料中心 SSD市場規模約 490 億美元，至 2031 年 CAGR 約 24%；其中「AI 用途 eSSD」子市場成長更快。
- 供應鏈風險：記憶體、控制器 IC 基板等零組件出現緊缺與價格上行，對控制器供應形成束縛。
台系與國際供應商動向
- 群聯 Phison：發表「AI-enabled」控制器與 Gen6 研發進度，控制器全球市佔 20%+；受惠 AI eSSD 需求與新規格週期。
- 慧榮 Silicon Motion：Gen5 控制器線推出、2025Q3 控制器銷售 季增 20–25%；對 QLC 場景的 LDPC/韌體長期深耕有利承接推論讀多情境。
- 原廠一體化（Samsung、Micron、Kioxia、Solidigm）：自研控制器加速高端 eSSD（含液冷、超大容量、Gen6），帶動整體控制器技術門檻與設計趨勢。
時間線（2025→2027）
- 2025–2026：Gen5 成熟放量、E1.S/E3.S 主流化，推論節點普遍導入高 IOPS／低尾延遲控制器設計；邊緣伺服器同步採用 E1.S。
- 2026H2–2027：Gen6 eSSD擴大佈署；針對 10M+ IOPS 的「AI SSD」開始試點，控制器與快閃協同設計成焦點。
