文 / Cipher的財經解剖
隨著人工智慧從判別式模型跨入生成式模型(Generative AI)的新紀元,市場焦點往往過度集中於 GPU 的算力競賽。然而,若將視角深入至伺服器機櫃內部,會發現另一場更為嚴峻的「物理極限戰」正在上演。
當大型語言模型(LLM)的參數突破兆級,數據傳輸的頻寬需求呈現指數級暴增。這不僅改變了晶片設計,更迫使底層的互連載體——印刷電路板(PCB)與 IC 載板——必須進行材料與結構的徹底革新。PCB 已不再是傳統認知中的被動元件,而是決定 AI 伺服器訊號完整性(Signal Integrity, SI)、電源效率與散熱能力的關鍵主動角色。
本篇分析將從物理層面出發,剖析 AI 硬體架構中的材料革命、製程瓶頸,以及供應鏈中那些不易被取代的技術護城河。
一、訊號的「高速公路」:從銅箔到物理極限
在 NVIDIA 下世代運算平台(如 Rubin 架構)的技術藍圖中,NVLink 6 的互連頻寬預計將推升至單顆 GPU 3.6 TB/s(依據官方數據)。與此同時,SerDes(序列器/解序列器)速率正以 112Gbps 為主流,而下一代 224Gbps 規格預計將率先於特定高階平台或短距互連中逐步導入。
在如此高頻的傳輸環境下,傳統電子材料面臨了兩大物理殺手:
- 集膚效應(Skin Effect):隨著頻率升高,電流傾向集中在導體表面流動。這意味著銅箔表面的粗糙度必須降至極低(Low Profile Copper),否則訊號將因「路面顛簸」而大幅衰減。
- 玻纖效應(Fiber Weave Effect):當訊號傳輸速度極快時,線路若恰好跨越玻璃纖維束與樹脂的空隙,將產生傳輸速度不一致(Skew)。
為了克服上述障礙,產業趨勢明確指向**「材料升級」**。目前量產機種多採用 Low Loss 至 Very Low Loss(如 M7/M8 等級) 材料,而市場預期下一代高階設計將進一步導入 Ultra-Low Loss(M9 等級)。
值得留意的是,低膨脹係數(Low-CTE)玻璃纖維布(T-Glass) 已成為關鍵戰略物資。目前全球能穩定供應 T-Glass 原紗的廠商仍以日系大廠(如 Nittobo)為主導。台灣銅箔基板(CCL)廠的競爭優勢,在於誰能透過與日廠的策略合作或產能綁定,確保在這波缺料週期中維持穩定的供貨能力。
二、解剖 AI 伺服器:三大關鍵板材的技術分工
若將一台 AI 伺服器拆解,其 PCB 架構可細分為三大區塊,每一塊都代表著不同的技術門檻與供應鏈價值:
1. OAM(運算加速模組):技術含金量最高
OAM 是承載 GPU 與 HBM(高頻寬記憶體)的核心區域。由於晶片接點密度極高,傳統通孔製程已無法滿足需求,設計上多採用高階 HDI(高密度互連),甚至達到 Any-layer 或類載板(SLP)等級。 此外,隨著高階 GPU 模組功耗逼近 1kW 大關(視散熱與模組形式而定),電源層必須導入厚銅技術以承載大電流,同時又要維持訊號層的細線路製作,這對製程良率是極大考驗。市場共識指出,具備 IC 載板與類載板量產經驗的廠商,在此領域擁有較深的技術護城河。
2. UBB(通用基板):大尺寸的工藝挑戰
UBB 負責串聯 8 顆 GPU,是整台伺服器中尺寸最大、層數最多(常見設計落在 20 至 30 層以上區間)的電路板。 此類產品的核心挑戰在於「漲縮控制(Registration)」與「背鑽精度」。在經歷高溫回焊製程時,大尺寸板材極易發生板彎或板翹,導致連接失效。這類產品向來是專精於伺服器厚板領域廠商的主戰場,良率控制能力直接決定了毛利率表現。
3. Switch Board(交換機板):800G 的前哨戰
隨著 AI 叢集對內網互連速度的要求提升,800G 交換機的導入速度正在加快。其 PCB 規格與 UBB 類似,同樣強調極低損耗材料與多層板製程的穩定性,且對訊號完整性(SI)的要求最為嚴苛。
下表總結了上述三大關鍵組件的技術規格差異與主要供應鏈觀察:

AI 伺服器關鍵 PCB 組件技術規格與供應鏈觀察
三、先進封裝的「翹曲壁壘」與玻璃基板的興起
除了 PCB,封裝載板(Substrate)亦是本次 AI 浪潮的瓶頸所在。目前的 AI 晶片高度依賴 CoWoS 等先進封裝技術,但隨著「封裝尺寸」不斷擴大,傳統技術正面臨物理極限。
1. 2.5D 封裝的大尺寸演進 (CoWoS-L)
為了容納更多 HBM 與更大的邏輯晶片,NVIDIA 正逐步從 CoWoS-S 轉向 CoWoS-L(利用 LSI 進行互連的大尺寸封裝),使封裝尺寸突破 100mm x 100mm。
然而,封裝尺寸放大後的副作用,即是「翹曲(Warpage)」問題加劇。傳統有機載板(ABF Substrate)因熱膨脹係數(CTE)與晶片不匹配,在大面積下容易產生結構變形,影響良率。
2. 3D 堆疊的垂直進擊 (SoIC)
不同於 2.5D 的平面擴展,SoIC 走的是垂直堆疊路線(如將運算晶片堆疊於 I/O 晶片之上)。這雖然解決了傳輸距離問題,卻帶來了更高的功率密度與散熱挑戰,對封裝材料的可靠度要求更上一層樓。
3. 下世代解方:玻璃基板 (Glass Core Substrate)
為了徹底解決大尺寸封裝的翹曲問題與細線路微縮瓶頸,玻璃基板被視為長線的終極解方。玻璃具備極佳的平整度與尺寸安定性,且支援 TGV(玻璃通孔)互連。
然而,依據 Intel 與相關供應鏈的公開時程研判,玻璃基板的大規模量產預計將落在本世紀後半(Late 2020s),甚至要到 2028 年後才會產生顯著的營收貢獻。目前的階段仍處於樣品驗證與良率爬坡期,相關設備商(如雷射改質、檢測)將比材料商更早反映此一趨勢。

先進封裝技術演進對應之載板/設備機會
結論:硬體升級的長線劇本
AI 基礎設施的建置是一場長跑。從投資研究的角度來看,未來的觀察重點可分為兩個時間維度:
- 短期(1-2年):應密切追蹤 M8/M9 等級材料的滲透率,以及各家板廠在 OAM/UBB 高階料號的認證進度。這是最直接反映 AI 伺服器出貨放量的指標。
- 長期(3-5年):關注 玻璃基板(GCS) 的生態系發展。雖然目前尚無營收貢獻,但這是延續摩爾定律的關鍵技術。誰能率先解決玻璃易碎與 TGV 金屬化製程的難題,誰就能定義下一個十年的封裝標準。
這場物理極限戰,才正要開始。
【免責聲明】 本文章內容僅為產業趨勢分析與技術研究分享,不構成任何形式之投資建議。文中提及之技術規格、公司與市場動態,皆基於公開資訊、供應鏈觀察與產業邏輯推演。投資人應獨立判斷市場風險,並自負投資盈虧責任。
















