最近，隨著全球的局勢不穩定性增加，AI的供應鏈的競爭也更加激烈。據傳，google 因為三星HBM的時程跟技術都還達不到業界的要求，將三星的HBM3E更換成美光的HBM。
此外，目前三大記憶體公司都已經轉向HBM4的開發前進，也讓三星不得不放棄既有的HBM2E，佈局下一代的記憶體。
究竟，HBM的競爭會如何發展？三星會慢慢走向邊緣化？美光是否會靠著HBM成為記憶體二哥？中國是否也會趁勢崛起？首先，我想從幾個角度來做分享：
1.技術大比較：目前，HBM3的技術主要停留在12奈米上，而HBM4將會進階到4-5奈米上，對於可以切入的玩家，就變得非常少，因此，策略合作夥伴也是非常重要。
目前，海力士跟台積電已經成為長期策略開發夥伴，台積電利用CoWoS封裝協助開發海力士最新一代的HBM。目前海力士已經推出HBM4的產品，預計下半年開始量產交貨給輝達。
而美光目前稍微慢一些，對於HBM4的投入相對保守，預計會花更多心力在HBM4E，企圖跟海力士錯開，爭取額外的機會，我覺得這會是一個好的策略，至少先穩坐老二的地位。
三星持續開發HBM4的生產，搭載三星自家四奈米的製程，企圖整合成一個完整的『生態系』。的確晶圓代工跟記憶體的結合可以幫助三星省下不少錢，但是如果晶圓代工技術不如台積電，要整合HBM的solution，就會影響到整體的效能。
2.中國追兵已到：中國這幾年也大力切入記憶體，尤其是HBM的開發。目前中國的HBM據說已經來到HBM2E的水準。雖然不及HBM3E，但是搭配中國本身的晶圓代工技術，HBM2E是可以達成的。
相對於HBM3E需要12奈米的搭配，或許目前中芯半導體本身的技術還不夠完整，但是應付HBM2E是綽綽有餘。也因此，三星最近也宣佈要停止HBM2E的製造，著重在HBM3E上，主要也是因為HBM2E幾乎沒有新的機會，而中國的需求大部分最後會被中國的廠商拿走，持續努力2E的意義也不大。
3.HBM未來展望：我認為，未來HBM將會受到地緣政治競爭的影響，會偏向各國擁護自家的記憶體公司。
以輝達為例，目前雖然技術最為領先的是海力士，不過輝達在美光下單的比重也不低，企圖平衡海力士的市佔率。而且不論海力士跟美光，都是使用台積電的CoWoS製程跟先進製程，所以品質上差異性會比較低。
但是三星是採用自家的製程跟封裝，對於輝達來說就是一個全新的產品需要跨驗，難度跟問題都會更多。加上三星的先進製程不如台積電，輝達很難把三星當作主要供應商，充其量是第三家供應商。
也因此，我認為未來三星會進入跟晶圓代工一樣的狀況，就是先進製程技術上持續落後一代以上，如果不使用台積電的製程，跟另外兩大的差距將會越來越大。最後只能撿兩大剩下的量，而記憶體的互相競爭，海力士跟美光不可能會把先進封裝交給三星做，最後三星只能用自己的晶圓代工＋自身的HBM，供應給客戶。但是效能肯定大打折扣。
我認為會跟現在三星的手機一樣，自家晶片的使用率持續下降，最後即將消失。顧此失彼的結果，會讓三星過得非常痛苦。
更重要的是，在成熟的HBM上，未來會成為中國的天下。
需求上，中國對於AI伺服器的需求旺盛，在中低階的需求肯定比歐美國家更強。製造上，2024年，中國本土記憶體—長鑫存儲已經推出HBM2E，到現在估計已經可以量產，所以不論是需求端或是製造端，都會在中國發生，三星會被夾在中間動彈不得。
所以可以預見的將來，中國的HBM會因應需求，產生巨大的成長跟市佔率，這會對於其他記憶體公司帶來不小的打擊。不過，海力士跟美光都是比較早切入HBM領域，仍然有不小的技術護城河，比較不容易被超越。
而且未來『就地製造』的方式應該會越來越普及，美光在台灣跟日本都有工廠，海力士則是在韓國，而中國本土製造商也不缺乏，對於三星來說，就很難在狹縫間找到出路，即便技術跟美光一樣，基於『分散風險』三星也很難拿到太多市佔率，未來會在HBM上複製晶圓代工的老路，慢慢被甩開。
這是我的想法，歡迎跟我分享交流你的意見～
